GPU的上游，显存领域发展概况（交叉验证）来自雪球专栏（本人）

国产显存研发态势分析，截至2025年8月

高带宽显存（HBM）国产化未实质性突破

长江存储与长鑫存储依托国产gddr、hbm产品国产供应链突破，在研发HBM技术领域扫清了较少的障碍，但未有产品显著缩小与三星、SK海力士的差距。

3D堆叠封装技术成为国产显存升级的核心路径，通过多层垂直集成提升存储密度，以晶体管规模弥补带宽设计劣势，但落后制程导致的3d堆叠产生的积热问题无法通过宏观散热器有效散热，gddr5与hbm显存设计验证必须等待国产制程突破到10nm。

国外GDDR显存技术迭代

三星、海力士GDDR7,HBM4显存进入量产阶段，应用于国内外高端显卡（如amd，nv，英特尔），2025市场规模达1200亿美元，目前显存市场国产为0，潜力巨大。

车规级显存需求激增，国产GDDR5显存若突破，将占领国产电动车和中国市场合资车企的市场份额，韩国厂商无法反制，这是国产显存发展的重大利好。

Chiplet与异构集成创新

壁仞科技、沐曦集成电路通过Chiplet技术实现多Die互联设计，显存带宽提升5倍，解决传统架构的带宽瓶颈。例如沐曦曦云C600系列采用3D硅中介层封装，互连功耗降低40%。但随时面临制裁风险，量产投资具有不可控损失风险，ipo上市后必须关注国产制程封装发展进程。

（砺算科技与东芯协同发展）存算一体架构进入工程验证阶段，东芯以现有技术发展gddr4显存与计算单元深度融合，可显著提高单位研发投入利用效率，有可能提前长鑫突破显存设计，若东芯突破gddr4，市值预计将增加700亿人民币，东芯的内存技术和砺算的IP设计天然具有协同基因，这是英伟达，amd和国内泛gpu概念们不具有的超级优势，市值增长因当考虑乘算效应。

产业链协同与国产化进程

供应链未达自主可控

目前无法降低对美光、三星的依赖。

中芯国际若预留30%产能支持国产GPU显存代工，但目前长鑫未能搞定设计环节，也就是说还在依赖三星海力士供应gddr4、5、6。

政策与资本驱动资金可能不足，国产化进程靠长鑫一家不现实

国家大基金三期1500亿元注资中，22%定向投入GPU及显存产业链，重点支持HBM技术研发和产能扩张。（这个资金扶持较为分散，且出砺算外，其余预制菜厂商获补助占比大，国产化增益效果微小）

未来趋势与战略方向

技术路线图

（我估计悬）2026年：3D堆叠HBM4显存量产，带宽突破2TB/s，应用于数据中心GPU。

（问题不大）2028年：光子互连技术实现芯片间1Tbps传输速率，显存延迟降至纳秒级

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