功率半导体，“优等生”出列

近年来，新能源汽车、光伏、风电等产业持续扩张，叠加宽禁带半导体材料等新技术逐步落地，推动功率半导体成为市场关注的重点领域。

富士经济曾在今年4月的报告中写道：功率半导体市场在 2024 年受到库存积压的打击。需求预计将从2024年下半年开始复苏，库存预计将在2025年下半年恢复正常。

那么如今的功率半导体复苏情况如何了？随着国产功率半导体头部公司业绩的相继披露，该市场的走向逐渐明晰。

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功率半导体公司，谁是优等生？

上述十家功率半导体公司中，表现最为亮眼的莫过于士兰微。

该公司上半年营业收入为63.36亿元，同比增长20.14%；归母净利润为2.65亿元，同比暴增1162.42%。这一业绩的取得，得益于公司在大型白电、汽车、新能源等高门槛市场的持续拓展，以及子公司士兰集成、士兰集昕等生产线的满负荷生产。

十家公司中营收同比下滑的只有一家—苏州固锝，但该公司上半年净利润同比增长超300%，华微电子上半年归母净利润同比下滑，但营收同比增长。

功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。功率半导体分立器件中，以 MOSFET 和 IGBT 为代表的晶体管占比最大，近30%。从目前市场需求来看，硅基 MOSFET、硅基 IGBT 以及SiC为功率半导体分立器件的主力产品。

如今，中国功率半导体企业仍处于起步阶段，市场集中度虽相对较低，但正处于快速成长之中。

细细解读上述十家功率半导体公司的财报，笔者发现有两大高频词汇，分别为“汽车”与“SiC”。

士兰微：SiC业务营收暴增80%

士兰微功率半导体和分立器件产品的营业收入达到30.08亿元，同比增长约25%，其中应用于汽车、光伏的IGBT和SiC（模块、器件）的营收同比增长80%以上。

2025年上半年，士兰微基于Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块出货量累计达2万颗，客户端反馈良好，客户数量持续增加。另外，该公司新一代产品即将上量，士兰微第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块将于2025年下半年上量。这将有助于提升公司在SiC领域的技术竞争力，满足市场对高性能SiC产品的需求。

目前，士兰明镓已形成月产1万片6英寸SiC-MOSFET芯片的生产能力，为满足市场需求提供了有力的产能支持。

据悉，士兰微正积极与国内多家头部新能源车企和Tier 1供应商就下一代车型进行更深度的合作洽谈。焦点主要集中在其即将量产的第四代SiC功率模块以及车规级MCU、高压驱动芯片等产品。

斯达半导：上半年业绩主要由新能源业务驱动，SiC进入量产爬坡阶段

斯达半导财报显示上半年新能源行业营收12.13亿元，同比增长52.82%。上半年，公司新能源汽车业务受益于国内销量同比增40%，营收实现25.80%增长。

此外，公司SiC项目已完成建设并进入量产爬坡阶段，伴随多款车型定点，下半年或将加速放量。

华润微、扬杰科技：SiC产品销售增长

华润微表示，报告期内，SiC和GaN功率器件销售收入同比实现高速增长。从业务结构看，泛新能源领域（车类及新能源）占比已提升至44%，成为第一大应用支柱，消费电子占38%，工业与通信设备各占9%。公司紧抓汽车电动化与智能化、光伏储能及消费电子复苏机遇，实现核心客户订单快速增长。

扬杰科技也表示报告期内，公司不断加大MOSFET、IGBT、SiC等产品在汽车电子、人工智能、工业、清洁能源等市场的推广力度，整体订单和出货量较去年同期快速提升。

从全球功率半导体市场来看，国际功率半导体龙头的复苏情况似乎要相对晚一些。

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全球功率半导体，体感不同

曾几何时，日本厂商在功率半导体领域保持较强的竞争力。根据市场研究机构 Omdia 数据显示，2021年全球功率半导体市场占有率排名前十的席位中，三菱电机、富士电机、东芝、瑞萨、罗姆等日本厂商曾一度占据五席。

其中三菱电机位列第四，富士电机紧随其后排名第五，东芝位居第六，瑞萨和罗姆则分别排在第九和第十，并且这五家公司的市占超过20%。

然而短短三年，日本巨头们的这一优势已明显缩减。2024年全球功率半导体市场TOP10榜单上，日本厂商仅剩三席，且每家的全球市占率均不足5%。

这些芯片巨头的布局策略也发生了明显变化，比如罗姆缩减SiC投资，放缓部分工厂的SiC量产计划；瑞萨正式宣布放弃进入SiC市场。日本的功率龙头，似乎并没有跟上这波潮流。

在如今的功率半导体领域，英飞凌的市场地位堪称“标杆”。其功率半导体出货量常年占据全球近 40% 的市场份额，连续多年稳居全球第一。

但进入 2025 年，这家德国巨头的态度却透露出明显的保守。早在去年年底，英飞凌首席执行官约亨-哈内贝克（Jochen Hanebeck）表示，“除人工智能外，我们的终端市场目前几乎没有任何增长动力，周期性复苏被推迟。因此，我们准备在2025年实现低迷的经营业绩”。

从英飞凌公布的业绩数据来看，这一保守预期也有所体现。

在2025财年第二财季（截至2025年3月31日），其营收同比微降 1% 至 35.91 亿欧元，虽符合分析师预期，但营业利润为 3.18 亿欧元，低于2024财年同期（2024年1月1日至 2024年3月31日）的4.96亿欧元。

而在第三财季（截至2025年6月30日），营收为37.04 亿欧元，同比增长3%；利润为6.68亿欧元，同比增长11%，利润率18.0%。此外，英飞凌还预计本财年营收约为146亿欧元，较上一年将略有下降。

综合来看，无论是国内功率半导体企业的快速成长，还是国际巨头的战略调整与业绩波动，都折射出功率半导体市场正处于深刻的变革阶段。在需求复苏、技术迭代与竞争格局重塑的多重因素交织下，该市场的发展路径逐渐清晰，呈现出以下五大趋势。

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功率半导体，五大趋势

第一点，AI正在推动功率半导体快速发展。

数据中心，是功率半导体应用的一大潜在领域。在数据中心内部，服务器机架功率正攀升至100kW以上，推动功率密度需求突破100W/立方英寸。5.5kW至12kW高功率电源（PSU）和电池备份单元（BBU）需求暴涨，催生对GaN和SiC等宽禁带半导体材料的迫切需求。

第二点，SiC应用向非汽车领域扩张。

电动汽车市场的爆发加速了SiC的应用，但是这远远不是终点。

在大功率赛道，随着系统功率越来越高，配电电压也随之提升，SiC有望带来更多的惊喜。

比如直流快充网络的铺开、可再生能源的发电与储能系统，还有工业电源的革新，都成了新的发力点。

第三点，GaN蓄势待发。

步入2025年，GaN展现出更大的商用前景。

其在电流处理能力、击穿电压和导通电阻方面与SiC不相上下，同时电容较低。这使得开关速度大大提高，进而实现了更小的功率转换系统。工艺成本低、芯片尺寸小，最终GaN的成本有望与硅持平。

除了低功率 AC-DC 转换应用外，业界还将GaN的功率能力扩展到 10-15 千瓦。这为人工智能服务器、电信、卫星电源和电动汽车的车载充电器带来了机遇。要进一步拓展工业应用并最终解决电动汽车逆变器问题，就需要更高的额定电压，如 1200V 或 1700V。

未来留给GaN的机会，还有很多。

第四点，中国持续投资功率半导体。

中国正在持续投资功率半导体，推动产业链各环节同步推进。芯片设计企业由此扩大研发团队，晶圆制造产能随之稳步提升，封装测试技术也不断优化。在这样的产业基础上，应用领域持续拓展，新能源汽车电控系统、光伏逆变器、储能变流器等场景对功率半导体的需求逐年增长，进而推动产品迭代速度加快。

有业内人士向笔者表示，在功率半导体器件的国产化进程中，普通二三极管的国产化已基本步入尾声，国内公司在这一领域的布局和落地已接近完成。

功率MOS方面，中低端应用领域（即对 MOS 性能要求不高的场景）的国产化也已基本完成，目前国内厂家已进入价格竞争阶段。不过，在服务器、AI 等高端应用领域，国产料件在性能上仍无法完全匹配国外产品，这部分将成为明年乃至后年国产化推进的重点方向。

IGBT 及 IGBT 模块的情况有所不同。IGBT 单管的国产化趋势已十分明显，在工业类要求不苛刻的应用场景中，国产化布局已基本完成；但对于那些对利润或性能有较高考量的厂家而言，单管的国产化尚未落地。而 IGBT 模块目前的国产化率还相对较低，因此，IGBT 模块将成为未来 3-5 年国产化推进的重点领域，属于一片蓝海。

第五点，功率半导体晶圆尺寸升级。

功率半导体行业正在经历晶圆尺寸的重大转变，以提高性能、成本和可扩展性。值得注意的是，大多数晶圆代工厂都在 12 英寸晶圆上进行先进的 BCD 开发，并已将其成熟的 BCD 工艺过渡到 12 英寸，从而避免了在成本更高的 8 英寸晶圆上升级。集成器件制造商 (IDM) 也已将其部分硅产能，包括 BCD、HCMOS、IGBT 和 MOSFET 技术，过渡到 12 英寸晶圆。

由于电动汽车和可再生能源系统等应用需要更高的效率和功率密度，SiC技术正从 6 英寸晶圆转向 8 英寸晶圆。这一转变使每个晶圆可生产更多器件，从而降低成本并提高生产量。预计到 2025 年，8 英寸SiC晶圆将占产量的 13% 以上，到 2030 年将占59%。

随着电气化的不断推进和可持续发展议题日益受到重视，功率半导体行业正面临着巨大的机遇。