台积电透露1.4nm工艺制程研发进展 预计2027至2028年间问世

在最新举办的国际电子器件会议（IEDM）上，全球领先的半导体制造商台积电公布其最新技术研发进展。台积电透露，其1.4nm级别的工艺制程研发已经全面启动。

台积电表示，其2nm级别的制程计划将在2025年开始量产，这一目标将进一步巩固公司在全球半导体制造领域的领先地位。根据消息人士透露，台积电的1.4nm制程节点正式名称为A14。

虽然台积电尚未公布A14节点的量产时间和具体参数，但可以推测该节点预计将在2027年至2028年间问世。这一预测基于台积电N2节点计划于2025年底量产，而N2P节点则定于2026年底量产。

在技术方面，台积电的A14节点可能不会采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术。然而，该公司仍在积极探索这一领域，并期待利用第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术实现新的性能、功耗和功能水平。

台积电强调，为了使N2和A14等节点能够真正发挥作用，实现新的性能、功耗和功能水平，需要进行系统级的协同优化。这无疑对公司的研发团队来说是一个巨大的挑战。

近日，台积电董事长刘德音在接受采访时表示，明年半导体市场将是健康成长年，请大家放心。对于外传三星在2nm采降价策略抢单的消息，刘德音说“客户还是看技术的品质”，似乎对台积电先进的制程技术和良率优势充满信心。