说中国全28nm要2030年才能完成，有点过了

【本文由“加东123”推荐，来自《中国芯片业近期形势猜测》评论区，标题为小编添加】

中国现在是化工大国。看国际上化工文献就知道了。所以一次性耗材不是大问题，现在14nm的光刻材料已经试产了，7nm的在研发。以前是没人用，原因是不是一家的材料上已经完成工艺开发的成品产线，会有较大问题（解决办法就是这部分要重新研发，这个对于大部分国家来说很难，对于中国这种化工人才大国其实难度反而小）。

国内先进光刻机进度比很多人想的快。在90nm光刻机刚研发成功的时候，核心器件就对中国封锁，导致后来90nm的光刻机长期处于研发状态中。其实就是解决核心关键器件的国产化问题。目前90nm的国产光刻机已经完成，后面的65-55，45-28nm其实只是90nm光刻机的技术改型（都是Arf的光刻机），28纳米就是用高精度工作台+浸没式组件改造升级。这个其实也做成功了。已经上产线调参一年多了（就是工艺开发），良率已经有较大提升。

28纳米解决，后续14nm和7nm也会很快，只是特定组件的不断优化性能而已。其实很多人不清楚，半导体设备产线也是不断研发的，台积电其实就干这事，先进工艺是研发出来，最初的参数和产品都是不行的，是很多工程师一起合作，不断摸索具体工艺的细节，包括半导体设备的改进，从材料（包括耗材），到曝光，显影等等都是一点点磨合出来的。不同工艺不同设备不同材料的细节设计不同（这也是为啥，一旦产线配套完成，就不大可能换设备厂商和耗材的原因，因为换耗材就得重新匹配工艺线和研发，都批产了，自然是能不折腾就不折腾）。这个周期一般就是2-3年不等。这个过程中良率慢慢爬升。

很多人误认为是采购成品设备，装起来就能用了，其实不是。工艺方法研制成功后，可以按工艺流程复制，这时候才批量采购多条产线的配套设备扩产。国内光刻机配套国内设备，其实反而比完全用国外线要容易发展，因为协调难度小。

特别是未来国外限制多的时候。其实半导体产线的设计基本就是化工系统。中国以前水平低，核心很大原因是自动化程度低，国外上世纪70年代就各种自动化技术，国内很多到本世纪才开始配套，自动化技术普及，自然就带来了产品品质和一致化程度提高。

所以半导体配套的绝大部分设备对于我们没啥真正难度，只是之前没部署高端产品，突然有需求跟不上，稍微等几年就能跟上。现在实际14-28nm的设备国产化问题并不大。国内为了磨合产线，弄了两个全国产化的验证线。这个是专门研发工艺的，让商业半导体生产企业，主要精力放在扩产和赚钱上，真正有技术风险是国家来扛来赔...

所以说中国全28nm要2030年才能完成，有点过了。其实应该25年甚至更快大概率就能跑通。