说说我知道的光刻机技术，清华这项突破，相当于穿插到敌后建防御阵地了

【本文由“逸心江右”推荐，来自《清华团队新成果在《自然》发表：有望解决光刻机自主研发难题》评论区，标题为小编添加】

说说我知道的一些。

目前EUV光源从产生方式分类，主要包括各种加速器光源、激光等离子体(LPP)光源、气体放电等离子体(DPP)光源3种。LPP（ASML目前用的就是这种）和DPP就不说了，加速器光源又主要包括同步辐射（SR）光源和自由电子激光（FEL）两种。

我们知道，EUV光刻对光源的要求主要包括：高平均功率（这样曝光速度快，利于提高生产效率）、高亮度（可以降低对光刻胶的敏感度要求）、高纯度（就是频带比较窄，有利于提高分辨率）、短波长（同样有利于提高分辨率）。

SR光源的功率、亮度都很好（比LPP/DPP光源强得多），但它产生的是一个频率范围较大的连续光谱，需要配合滤光器得到合适的窄带光源。问题是“宽带”滤成“窄带”必然损失大量的光能，部分抵消了功率高的优点。

而FEL亮度可以非常高（一般可以比SR还高10个量级），纯度也非常高（激光嘛），但麻烦的是脉冲重复频率比较低，这样平均功率就降得很厉害。

现在这个SSMB光源把SR和FEL结合起来了，可以得到高功率、高亮度、高重频、窄带宽的光源，而且波长可调（因为FEL的波长连续可调），别说EUV，哪怕是硬X射线都能达到，而且不需要SR的滤光器或LPP/DPP的光谱纯化装置（跟滤光器是同样的作用，只是目前主要采用一堆镜子反射多次来实现，效率也很低），可以达到单纯的SR、以及LPP/DPP光源无法达到的高效率，显然，就性能来讲是非常适合进行EUV光刻的。

然而，加速器光源（不管是SR还是FEL）最大的弱点是非常昂贵（通常一套就要几亿、几十亿），而SSMB=SR+FEL，那就是贵上加贵，不适合大规模生产应用。另外体积也太大：文中提到的德国SR装置的电子储存环周长有48米，但产生的只是1064纳米的光，而能产生硬X射线的上海光源，其电子储存环周长432米。

另外，现在只是完成了首个原理验证实验。即使后续很快完成立项、概念设计和工程设计，从开工建造到投入使用，估计怎么也得个4、5年（具体要多久至少要等到概念设计出来才能“毛估估”：做成专用的EUV光刻光源还是类似“上海光源”的大型综合科学装置，成本和工期差别很大）。

作为参考，“上海光源”（SR）2004年2月批准立项，2004年12月25日动工，于2009年4月完成调试并向用户开放。“大连相干光源”（FEL）于2012年初正式启动，2014年10月22日正式开工建设，2016年9月24日首次出光。所以，SSMB技术大概率不能赶上首台国产EUV光刻机，想尽快出来国产EUV光刻机，还得指望上海光机所的LPP-EUV和哈工大的DPP-EUV。

但是，如果“稳态微聚束极紫外光源研究装置”能及时立项和建成，一定会缩短中国EUV光刻机的追赶时间：有了高功率、高亮度、高纯度的EUV光源装置，就可以并行开展更高光源参数的EUV光刻机的光路平台等相关技术的开发与设计。这相当于在正面进攻的同时，派一支部队穿插到敌后去建立防御阵地（对了，正是PLA喜欢的“纵深穿插-分割-包围”战术）。这是在有足够资源的今天，打破国外技术壁垒的最快方法。