有望成为 PLC 候选技术，Kioxia 开发出 Twin BiCS Flash

QLC 快闪存储器还没能大量取代 TLC，而 PLC 也还在草创阶段。

Kioxia（原 Toshiba Memory）稍早于 IEEE International Electron Devices Meeting 上宣布，其 3D NAND 发展迈向新里程碑，已开发出 Twin BiCS Flash 快闪存储器技术。Twin BiCS Flash 是因应 3D NAND 堆栈发展竞争而生，因为 96 层制品已经开始普遍应用，而 2020 年更将进入 128 层代次。要持续堆栈层数以确保竞争力和获利，使得制造难度与生产良率更具挑战性，Kioxia 早早开始寻求突破。

有别于常规的圆形电荷储存（Charge Trap）架构技术，Kioxia 藉由分割闸极以减小单元尺寸这途径，新开发出特殊的半圆形浮动闸极（Floating Gate），当前命名为 Twin BiCS Flash。

如设计此能够缩小单元尺寸，同时也可以拥有更多位元，两者都能够实现储存密度提升。Kioxia 指出经实证，Twin BiCS Flash 除了有利于 QLC（4bit / cell）运用，更是迈向 PLC（5bit / cell）发展可行的候选方案。