三星获得 长江存储 的技术授权，双方展开重磅合作！

2月24日消息，据韩媒报道，为了获得长江存储技术授权，三星与长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议！

据了解，三星评估认为，下一代NAND业务的不确定性增加，从第10代NAND开始，已经无法再避开长江存储技术专利，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。

V10是三星电子的下一代NAND，计划于今年下半年量产。根据三星的规划，V10的堆叠层数估计在420到430之间。但目前，量产的NAND闪存的堆叠层数都在300层左右。其中，海力士、三星当前量产的堆叠层数最高的产品堆叠层数分别为286层、321层。

据报道，三星之前在NAND生产中使用了COP（外围单元）方法，即将外围电路置于一个晶圆上，并将单元堆叠在上面。然而，随着层数超过 400，下层外围的压力会影响可靠性，即施加于下部渡轮的压力可能会变得很大并造成损坏。

因此，三星、海力士等企业决定采用W2W（晶圆到晶圆）混合键合技术，即在单独的晶圆上制造电池和渡线，然后将它们组合成一个。而这一技术，其实就是长江存储大约四年前就开始积极量产名为“Xtaking”的混合键合技术。

长江存储率先在闪存中使用了晶栈Xtacking技术，该技术可在一片晶圆上独立加工负责数据 I/O 及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让 NAND 获取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。

除了三星，韩国另一大存储芯片巨头SK海力士的下一代NAND闪存芯片的核心专利，也需要依赖中国，预计SK海力士也将与长江存储签署专利协议。