DDR5新品惊人逆袭 量产时间曝光！

DDR5新品惊人逆袭 量产时间曝光！

2025/11/28 中时新闻网 

大陆存储器芯片大厂长鑫储存（CXMT）近日正式发表最新DDR5与LPDDR5X产品，并预计自2026年起全面量产。 外界预期，不仅有望降低大陆对海外记忆体供应商的依赖，还可能削弱因全球供应吃紧所形成的「内存超级循环周期」力度，甚至对三星与SK海力士两大韩国存储器巨头在大陆市场的营收造成冲击。

中韩技术差距快速缩小的主因

韩媒《Business Korea》报导，中韩在通用DRAM领域的技术差距正急速缩小，目前差距已不到一年，这项变化的背后主因，是美国限制荷兰ASML对大陆出口EUV极紫外光设备，该禁令放慢了大陆企业在先进制程上的追赶速度，但也使双方在其他领域的差距加速缩小。

韩国半导体人士指出，长鑫储存最新DDR5的规格相当亮眼，最高速率可达8000Mbps，单颗容量最高24Gb，比上一代6400Mbps的产品快25%。 此性能已嫓美韩国DRAM公司的等级，足以搭载在最先进CPU服务器平台。

目前长鑫储存的DRAM月产能约27 万片，仍低于三星的64 万片与SK海力士的51 万片，但一旦长鑫储存于2026年正式量产DDR5 与 LPDDR5X ，势必削弱「内存超级循环周期」，同时影响韩厂在大陆市场的销售。

量产后恐重塑中国存储器市场版图

长鑫储存内部人士直言，新产品能成为大陆市场的有效替代方案，减少对海外的依赖。

数据显示，三星与海力士去年在中国大陆的总销售额高达87.3兆韩元（约新台币1.87兆元），占两家公司总营收的23.7%，因此对其市场占有率的冲击不容小觑。

专家分析，长鑫储存之所以能快速拉近距离，除了大陆官方的大力扶植，也受惠于庞大的本土需求。 此外，美国对中国大陆半导体的限制，反而让大陆积极吸纳韩国、日本等地的存储器人才，加速了技术研发进程。

重磅！长鑫存储发布DDR5产品系列，打破三星海力士等垄断

新浪财经

2025-11-24 22:13

（来源：半导体芯情）

11月23日，长鑫存储正式发布其最新DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。

据介绍，长鑫存储的DDR新产品具备良好的产品性能，其现场展示了的最新DDR5系列产品以及最高速率10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存具备行业领先的突破性的技术成果。据称，这两大产品系列在速率、容量双维度均成为国内乃至国外最顶级的。

在内存容量上，长鑫存储在标准16Gb颗粒以外，重点推出24Gb大容量颗粒，对于大规模数据中心具有显著优势，能在不占用额外物理插槽的前提下，显著提升系统的模型加载能力与多任务处理效率，满足数据中心快速扩容的刚需。

长鑫存储市场中心负责人骆晓东表示，当前DRAM需求的爆发式增长对市场供给、价格都带来了巨大的影响，中国需要有稳定的国产DRAM产能供应，通过产能扩张和规模效应，减少对海外厂商产能的依赖。

据介绍，本次长鑫存储发布的新品两大产品系列在速率、容量双维度均位居业界第一梯队，标志其产品性能与布局已全面达到全球主流高端水准，国产存储芯片具备与国际一线大厂同台竞技的技术实力。

另外，长鑫存储依托先进的颗粒，推出了完整的模组产品矩阵，本次展出的七大模组实现从云到边缘端的全场景涵盖：覆盖数据中心和企业级服务器的RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM，适配主流台式机与PC的UDIMM，满足笔记本电脑和紧凑型设备的 SODIMM，以及面向高端超频与工作站市场的CUDIMM、CSODIMM等新型时钟驱动模组。

其中，在占据DRAM最大份额的服务器市场，长鑫存储RDIMM提供多种容量，覆盖主流平台内存配置；在MRDIMM等前沿领域的布局，显示长鑫已具备支持下一代服务器平台与新型互连标准的实力。

此前，长鑫发布了存储新品。10月最新发布的LPDDR5X产品为针对移动市场旗舰产品开发的低功耗内存，最高速率10667Mbps，并涵盖12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多种封装解决方案。

据介绍，此前报道称，长鑫存储采用了其第四代DRAM节点技术来制造DDR5，导致芯片面积比三星同类产品大出约40%，成本显著提高。

成本之外，可靠性也是挑战。早期测试发现，其DDR5内存模块在高温或低温环境下存在稳定性问题。为此，长鑫存储不得不重新修改芯片设计以提升可靠性。

此前业内普遍预期长鑫存储将在2025年5月或6月开始DDR5的大规模量产，本次到11月发布，可能也证明了长鑫在技术上突破，付出了很多，技术投入和良率提升上，都达到了理想水准。

综合来看，长鑫存储能取得这样的成绩还是不错的，毕竟长鑫存储的DDR5芯片已经成为全球重要的存储芯片，长鑫出货量也在稳步提升。

此前，据证监会网站显示，长鑫科技集团股份有限公司（简称“长鑫科技”）完成IPO辅导工作，最新状态为辅导验收。

作为国产DRAM存储芯片龙头企业，长鑫科技从2025年7月4日启动辅导，由中金公司与中信建投担任辅导机构。辅导报告显示，自2025年7月至2025年9月辅导期间，公司已选举职工代表董事，取得国有股东标识批复。合肥市人民政府国有资产监督管理委员会已于2025年8月出具批复，同意将相关国资股东所持长鑫科技的股份界定为“国有法人股”。

工商资料显示，长鑫科技最新注册资本601.9亿元，实缴资本536.33亿元，公司股权结构较为分散，其第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业（有限合伙），持股比例为24.3204%。第二大股东为合肥长鑫集成电路有限责任公司，持股比例为12.4265%，其背后实控人为合肥市国资委。此外，公司股东还包括国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、安徽省投资集团控股有限公司、阿里巴巴（中国）网络技术有限公司、湖北小米长江产业基金等。

上市公司中，兆易创新直接持有长鑫科技0.9527%；兆易创新实际控制人、控股股东、董事长朱一明现任长鑫科技的董事长。作为关联方，兆易创新向长鑫存储采购DRAM代工，关联交易逐年增加，并预计2025年随着兆易创新DDR4 8Gb产品在TV、工业等重点领域同比放量，相应采购代工金额将增加。

资料显示，长鑫科技2016年6月在安徽合肥成立，2019年，公司成功投产8Gb DDR4内存芯片，打破国际巨头长期垄断；2023年，公司推出面向中高端移动设备的LPDDR5系列产品。目前，公司产品已广泛应用于智能手机、PC、服务器及AI计算等领域。在2024年3月战略融资中，长鑫科技投前估值已达约1399.82亿元，创下当时国内半导体非上市公司估值新高。

长鑫科技全资子公司长鑫存储是国内唯一实现通用型DRAM大规模量产的IDM（垂直整合制造）企业，被视为国内规模最大、技术最先进的动态随机存取存储器（DRAM）研发与制造平台。

根据市场分析机构Counterpoint今年6月预测，长鑫存储2025年DRAM出货量将同比增长50%，在整体DRAM市场的出货份额预计将从第一季度的6%增至第四季度的8%。其中，在DDR5市场中，公司份额将从第一季度不到1%上升至年底的7%，在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9%。