三星QLC被曝有质量缺陷 大规模量产或将推迟

近日，有消息称三星电子在其第九代V9 QLC NAND闪存技术上遇阻，已决定推迟该产品的大规模生产。据业内消息透露，首批V9 QLC芯片存在根本性设计缺陷，导致其性能未达预期标准。这款采用280层堆叠工艺的闪存产品，原计划在完成TLC版本量产后快速推向市场，但目前预计需要到2026年上半年才能实现规模量产。

数据显示，作为全球NAND闪存市场的头部厂商，三星2025年第二季度仍以32.9%的市场份额位居第一，营收环比增长近24%至52亿美元。不过三星存储业务所在的DS部门第二季度经营利润同比大减94%，仅为0.4万亿韩元，是近六个季度以来首次跌破万亿韩元。

在NAND闪存市场，虽说三星总体上仍保持领先地位，但竞争对手在技术层面正在不断缩小与三星之间的差距。据了解，日本Kioxia已成功推出332层V10级NAND闪存，SK hynix也在321层2TB QLC NAND领域取得突破并实现量产。反观三星最新高端QLC产品仍停留在上一代V7阶段，甚至未能推出V8版本的QLC产品。

值得注意的是，AI服务器带动的海量存储需求正快速增长，QLC因成本优势成为冷数据存储首选，市场预测2026年三星在该领域份额可能仅占9%，低于同级别对手。