2028冲刺28nm量产，科普下相关概念

1. 看了下某种机器的消息，其实没什么大变化。大多数人都不懂，总以为很快出来了，明年就出来了。其实需要一步步的，2028年能做到28nm量产就不错了。这里非常需要科普量产的概念。

2. 机器都知道有EUV和DUV。研发里，哪种更重要？其实是DUV。EUV和DUV很多都是相同的，主要是光源不同。ASML造出先进的DUV，直到2018年才能用它造7nm了，用四重曝光工艺。很快EUV就替代DUV造先进芯片了，效率提升很多，但是基础是前面DUV打下的。

3. DUV又分两种，DUV dry(干式)和DUV immersion（浸润式），区别是加水，波长193nm变134nm。干式已经官宣，浸润的FT消息说测试了。

4. 最重要的一个事，一般网友很不注意的，是量产这个概念。量产一定要稳定，7*24小时连续运作，不然就会让厂家赔大钱。有个厂家补贴买了两台早年就通过验收的90nm机，几个小时就得停下来修，最后没法实用卖给研究机构了，还得买别国的。补贴无用，机器不要钱都没用，连续生产被破坏再多钱也不够补的。因此现在没有前道国产机在量产线应用的案例，90nm都没有。这是因为之前研发办这事的机制和很多科研机构，只注意验收，不注意量产实用。只有后道用于封装的占领了90%市场。

5. DUV干的能做55nm，DUVi理论上做5nm-45nm。刚出的测试消息，应该是DUVi做45nm。测试是说能跑通，这应该能搞过去。但最难的一步是量产，产线能不停，厂家能不赔大钱。也就是45nm量产，这步过了，就有ASML在20年前的水平了。

6. 关键技术指标是套刻精度，可以理解为对准的误差，从8nm一直进步到1.5nm。这个进步了，就能45nm进步到28nm，然后继续进步14nm、10nm、7nm、5nm。还有一个是光学的NA，这个比较难理解。把光源从193nm换成13.5nm的EUV光源，就能继续进步7nm、5nm、4nm、3nm、2nm。

7. 这一切最重要的是量产，稳定运行。不然干式90nm都不行。量产需要所有部件和调试都以极高标准磨合，上实际产线运行，最后就是良率和单位时间产出，不能赔钱。最难的就是这个，以前都是验收和测试，没有一个量产的。不能量产，说EUV也没意义了，基础是DUV稳定运行。其它路线也在搞，但是从生产角度看，都不如DUV量产路线。

8. 现在急需的是量产，这关通了，才能说国产平台跑通了。然后就能进入中国擅长的快速迭代，给钱够不睡觉干活没问题。但是特别难，每一步都很不简单。如果2028年能量产28nm，后面就快了。如果真可以，那算是很大进步。我很早就在说很难，一直被骂。但是好几年了，到2025年了还没有量产，说明确实很难。