芯片制造发展简史

【本文来自《台积电要开始倒计时了吗？》评论区，标题为小编添加】

芯片制造发展简史：

1）2001年的芯片制程工艺是130纳米.

2）2004年是90纳米元年，那一年奔腾4采用了90纳米制程工艺，性能进一步提升。

而当时能达到90纳米制成工艺的厂家有很多，比如英特尔，英飞凌，德州仪器，IBM，以及联电和台积电。

3）2012年制程工艺发展到22纳米，此时英特尔，联电，联发科，格芯，台积电，三星等，世界上依旧有很多厂家可以达到22纳米的半导体制程工艺。

4）2015年成了芯片制成发展的一个分水岭，当制程工艺进入14纳米时，联电（台湾联华电子）止步于此。

5）2017年，工艺步入10纳米，英特尔倒在了10纳米，曾经的英特尔芯片制程独步天下，台积电三星等都是跟在屁股后面追赶的。

但是当工艺进入10纳米后，英特尔的10纳米芯片只能在低端型号机器上使用，英特尔主力的I5和I7处理器，由于良率问题而迟迟无法交货。

而在7纳米领域，英特尔更是至今无法突破，而美国另一家芯片代工巨头“格芯”，也是在7纳米处倒下的。

6）2018年，工艺步入7纳米

======================================

国产28nm基本实现完全自主能做就慢慢来.

14nm/7nm/5nm一步一个脚印来！