现在俄国要搞X光光刻，根本的问题不是技术本身，而是市场上的经济性

【本文由“马氏体”推荐，来自《投资6.7亿卢布，俄罗斯宣布研发X射线光刻机！比ASML的EUV光刻机还要先进？》评论区，标题为小编添加】

毛子瞎吹呗！在90年代当时工艺停留在193nmDUV干法光刻的时候，就有人提出各种下一代方案EUV与X光等都有，那时候是日本佳能尼康当红之时，ASML与台积电等厂家率先采用了浸润式湿法光刻工艺，日本的佳能与尼康不看好DUV湿法工艺就失落了二十年，而美国的EUV联盟团结了ASML排斥日商，让ASML在EUV光刻机上占得先机。现在俄国要搞X光光刻，根本的问题不是技术本身而是市场上的经济性。

首先明确光刻机分为投影式和直写式。

直写式光刻早就已经进入到EBL时代，波长要小于X射线。

然后是投影式光刻，投影式光刻的共同特征是需要，预先准备好带有投影图案的光罩，当然光经过光罩后会产生衍射。光学上定义，10nm到400nm为紫外光，0.1nm到10nm之间是X射线，当然光刻上365nm称为紫外，248nm和193nm称为深紫外（DUV），13.5nm称为极紫外（EUV），也有称这个波长为软X射线的，理论上波长越短，能够达到的解析能力越高。但是设计出来的光刻机是要考虑生产效率的，效率又和光源的照度挂钩，照度越高曝光时间越短。想要提高照度就需要一个高功率的照明系统，早期EUV光源只有80W，而业界期望的稳定光源是250W出光。此外，大多数材质对于X射线都是折射率为1且吸收率很大，不适合采用折射式系统，单层膜的反射率几乎为0，只有采用多层膜，可以是的11nm~14nm波段反射率接近70%。EUV系统的光源、光路(需要在真空环境下)、光刻胶、光罩都需要重新进行设计，产业技术前进需要整条供应链的联动，这也是每年SPIE、ITRS讨论协调的意义。

仅仅是EUV阶段的前进，已经是耗费了大量的研发经费和人员，中间跳票了数次，目前出货量也不是很多。EUV的售价达到1亿欧元，耗电非常惊人，但请相信这是目前最经济的方案了。

X射线因为波长很短，所以几乎没有衍射效应，所以很早就进入了光刻技术研发的视野内，并且在八十年代就有了X射线光刻。九十年代，IBM在美国佛蒙特州建了一条采用同步辐射光源的X射线光刻机为主力的高频IC生产线，美国军方为主要客户。而当年X射线光刻技术，是当时的下一代光刻技术的强有力竞争者。后来随着准分子激光和GaF透镜技术的成熟，深紫外DUV光刻技术延续了下去，在分辨率和经济性上都打败了X射线光刻。X射线光刻就退出了主流光刻技术的竞争。

现在用X射线光刻的，主要是LIGA技术，用来制造高深宽比结构的一种技术，可以制造出100:1的深宽比，应用于mems技术当中。

目前国内有两个地方可以做X射线光刻，一个是合肥同步辐射，一个是北京同步辐射。

由于X射线准直性非常好，传统的X射线光刻，是1:1复制的。掩模版使用的是硅梁支撑的低应力氮化硅薄膜，上面有一层图形化的金，作为掩蔽层，曝光方式采用扫描的方式，效率不高。