Q2 DRAM营收季增17.1%,SK海力士市占扩大

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本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合

SK海力士蝉联第一名。

TrendForce集邦咨询表示,2025年第二季DRAM产业因一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价上涨、出货量显著增长,加上HBM出货规模扩张,整体营收为316.3亿美元,季增17.1%。平均销售单价(ASP)随着PC OEM、智能手机、CSP业者的采购动能增温,加速DRAM原厂库存去化,多数产品的合约价也因此止跌翻涨。

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观察主要供应商第二季营收表现,SK hynix(SK海力士)位元出货量优于目标计划,但因相对低价的DDR4出货比重提升,抑制整体ASP成长幅度,营收接近122.3亿美元,季增达25.8%,市占上升至38.7%,蝉联第一名

排名第二的Samsung(三星),第二季在售价、位元出货量皆小幅增加的情况下,营收成长13.7%,达103.5亿美元,市占微幅下滑至32.7%。Micron(美光)的出货量明显季增,ASP则因DDR4出货比重增加而季减,营收为69.5亿美元,季增5.7%,市占下降至22%,排名第三。

南亚科、华邦电子与力积电第二季营收皆大幅成长,主因是其成熟制程产品逐步衔接上前三大业者转换制程后无法满足的市场。其中,Nanya(南亚科)得益于PC OEM和Consumer大客户积极补货,第二季出货量大幅季增,与ASP下跌的效应抵消后,营收仍强劲成长56%,上升至3.4亿美元左右。

Winbond(华邦电子)出货量也明显季增,在ASP持平的情况下,第二季营收季增24.9%,来到1.8亿美元。PSMC(力积电)的营收计算主要是自身生产的Consumer DRAM产品,不包含DRAM代工业务,在客户积极补货下,其营收季增达86.4%,成长至2,000万美元。若加计代工部分,因客户采购动能回温,PSMC营收季减幅度收敛至2.9%。

SK海力士HBM市场份额,将超过三星和美光

据《商业邮报》、ZDNet Korea 和韩联社等韩国媒体预测,SK 海力士预计至少到 2027 年将占据全球高带宽内存 (HBM) 市场一半以上的份额,巩固其作为 Nvidia 最大供应商的地位,同时扩大其在内存半导体领域的影响力。

摩根大通的一份报告预测,到2025年,SK海力士将占据HBM市场56%的份额,而三星电子和美光科技的份额分别为26%和18%。这意味着SK海力士的市场份额将从2024年起下降1个百分点,而三星的市场份额将下降15个百分点。该银行预计,SK海力士的市场份额将在2026年降至51%,然后在2027年回升至52%,这凸显了其保持多数股权控制权的能力。

摩根士丹利估计,到 2025 年,Nvidia 将占全球 HBM 需求的 70% 以上,这一动态将进一步巩固 SK Hynix 作为其主要供应商的主导地位。

来自三星和美光的竞争日益激烈

行业分析师指出,三星和美光正在竞相从 2026 年开始推进第六代 HBM(即 HBM4)。虽然这将加剧竞争,但 SK 海力士预计将利用多年来与 Nvidia 建立的技术合作和信任来捍卫其领先地位。

SK海力士的雄心壮志并不局限于HBM。该公司正努力在更广泛的内存市场中占据领导地位,开发低功耗DRAM和高密度NAND闪存。其半年报显示,基于先进的1c DRAM工艺的LPDDR5X将于2025年上半年成功开发。该芯片有望改善散热和能源效率,分析师预计这将产生巨大的需求。

该公司还宣布量产321层四级单元(QLC)NAND,成为业内首个突破300层大关的公司。市场预测,SK海力士的NAND营收和市场份额将大幅增长。

热性能材料突破

SK海力士的另一项创新是,该公司已开始使用一种名为高K环氧模塑料(EMC)的材料来供应耐高温的移动DRAM。EMC是一种重要的封装材料,它可以封装芯片,保护芯片免受湿气、高温、冲击和静电的影响,同时还能起到散热的作用。

高 K EMC 技术通过应用导热系数 (K 值) 更高的材料,有效改善了热传递。SK 海力士表示,与以往设计相比,这种新材料可将 DRAM 的散热性能提升 3.5 倍,同时将垂直传导路径上的热阻降低 47%。这项技术进步有望使高功耗的人工智能智能手机受益,延长设备寿命、提升电池续航能力并提升性能。

DDR4需求高位回落,合约价格年底前上涨

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内存现货价格在2025年第二季度飙升,但此后一直稳定在高位。DDR4供应仍然紧张,但早前的抢购热潮已有所缓和,市场活动已恢复到更正常的交易模式。行业分析师预计,由于主要内存供应商的库存仍然较低,DDR4合约价格将在年底前持续上涨。

DDR4 16Gb(2Gx8)在经历了7月份的低迷后,于8月中旬反弹,一个月内上涨了近7%。相比之下,DDR5 16Gb价格下跌了约3%,两种规格之间的价格差距扩大至约50%。DDR4 8Gb(1Gx8)价格继续走弱,连续第二个月下跌3%。

DDR3 4GB 延续了 7 月份近 20% 的涨幅,8 月份又上涨了 13%。业内人士将此次飙升归因于停产引发的恐慌性抢购和囤货。自 2024 年初三星停止 DDR3 生产以来,库存一直在稳步消耗。南亚科技和华邦电子并未扩大 DDR3 产量,而是专注于 DDR4,这再次给 DDR3 价格带来了上涨压力。

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