TrendForce：SK海力士，DRAM登顶第一

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

集邦咨询预计Q2 DRAM各主要应用合约价将止跌回升。

根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价下跌，加上HBM出货规模收敛，DRAM产业营收为270.1亿美元，季减5.5%。在平均销售单价方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e产品设计，HBM产能排挤效应减弱，促使下游业者去化库存，导致多数产品合约价延续2024年第四季以来的跌势。

展望2025年第二季，随着PC OEM和智能手机业者陆续完成库存去化，并积极生产整机，将带动位元采购动能升温，原厂出货位元显著季增。价格方面，预期各主要应用的合约价皆将止跌回升，预估一般型DRAM合约价，以及一般型DRAM和HBM合并的整体合约价均将上涨。

具体来看，SK海力士排名上升至第一名。SK海力士表示：“第一季度，受人工智能开发竞争加剧和库存补充需求等影响，存储器市场情况改善速度显著快于预期。顺应这一趋势，公司扩大了12层HBM3E、DDR5等高附加值产品的销售。”

其针对HBM需求，因其产品特性，通常需要提前一年与客户进行供应量协商。预计今年该产品将持续保持同比增长约一倍。因此，12层HBM3E的销售将稳步增长，预计在第二季度其销售将占整个HBM3E比重的一半以上。

此外，从今年第一季度开始，公司向部分PC领域客户供应了面向人工智能PC的高性能存储器模块LPCAMM2。同时，公司也计划与客户紧密合作，在需求正式启动时，及时供应面向人工智能服务器的低功耗DRAM模块SOCAMM。

三星排名下滑至第二名，这主要是受HBM3e改版大幅降低高单价产品出货量等影响，营收季减幅度超过19%，为91亿美元。三星电子正加速推进其12层HBM3E（高带宽内存）产品通过英伟达的品质验证测试，目标在2025年7月至8月完成认证。这一进展被视为三星在AI算力芯片供应链竞争中抢占先机的关键一步，但技术挑战与市场格局的复杂性仍为其前景蒙上阴影。

根据行业知情人士透露，三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达的“单芯片认证”，即对单个DRAM芯片性能的评估。然而，HBM3E的最终认证需通过“成品认证”，即对堆叠后的成品进行性能与可靠性测试。此前，三星的8层HBM3E产品曾两次通过单芯片认证，但均因速度与功耗未达英伟达标准而未能通过成品认证。

此次，三星针对12层HBM3E进行了多项技术改进，包括优化第四代10纳米级（1a）DRAM的结构设计以提升速度，并组建超百人专项团队提升良率。但业内人士指出，HBM3E的成品认证难度远高于单芯片认证，需在堆叠层数、散热性能、信号完整性等多维度满足英伟达的严苛要求。

第三名的Micron（美光科技）第一季HBM3e出货规模扩大，即便售价微幅季减，营收仍达65.8亿美元，季增2.7%。去年9月，美光宣布推出12层堆叠的HBM3E，拥有36GB容量，面向用于人工智能（AI）和高性能计算（HPC）工作负载。到了今年2月，美光开始批量生产12层堆叠HBM3E，首先供应给英伟达。虽然美光的HBM3E比起SK海力士来得要晚一些，但是上市销售的推进速度非常快。美光表示全球人工智能市场的蓬勃发展大大提升了对其HBM芯片的需求，将继续扩大HBM产能和市场份额，以便在2025年实现连续增长。同时美光还确认，2025年的HBM产能已经售罄。

为此美光在12层堆叠HBM3E上押下了重注，预计最快在8月出货量超过8层堆叠HBM3E，目标第三季度末达到稳定的良品率水平。与此同时，美光还加快了HBM4的步伐，预计2026年初进入量产阶段，紧随SK海力士2025年末，双方都将给英伟达B300等计算卡提供动力。

第四、第五、第六名分别为南亚科、华邦电子和力积电。其中南亚科的特定DDR5产品启动出货，抵销了Consumer DRAM市况低迷的效应，营收为2.19亿美元，季增7.5%。华邦电子第一季高容量、平均位元售价较低的LPDDR4和DDR4产品放量出货，带动整体出货量大幅成长，但售价下跌，营收为1.46亿美元，季增22.7%。

力积电营收计算以自家生产的Consumer DRAM为主，因为投片规模萎缩，营收季减1.4%，为1,100万美元。若加计DRAM代工业务，由于代工客户采购动能放缓，营收季减13%。

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