“美国没有解决7nm芯片的制造，而中国大陆解决了”，这完全是基于外行的认知

【本文由“马氏体”推荐，来自《打了三年科技战，美国并没有解决7nm芯片的制造，而中国大陆解决了》评论区，标题为小编添加】

说实话，不知道此文是出于内宣需要的鼓吹，还是自认是基于事实的科普？

如果是后者，那么对于作者自树的业内专家人设，无疑是非常令人遗憾的。

摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。

登纳德缩小规则：每一代晶体管尺寸只要缩小30%，就能让芯片上的元件数量翻倍，同时让芯片速度提升40%，而单位面积的发热功率则保持不变。

https://www.36kr.com/p/2419900295980040

因为此前就引用介绍过，自从2000年代中后期的45nm开始，全球半导体制造工艺就因为技术限制而无法达成“每隔18-24个月集成电路上可容纳的元器件的数目增加一倍”、“每过一代栅长就缩小为上一代70%”的“摩尔定律”和“登纳德缩小规则”了。后续所谓“32nm、22nm、14nm、10nm、7nm、5nm、3nm”等等工艺节点，都不过是文字游戏和产品“代号”罢了。

各厂商的制程工艺命名与实际尺寸对比

而且由于各家执行的标准不一，因此除了商业噱头，具体工艺与实际标准正越来越远！

TSMC的制程工艺进度规划与实际尺寸

Intel的制程工艺进度规划与实际尺寸

所以，Intel的“10nm”工艺相其实相比台积电与三星的所谓“7nm”，晶体管数量和密度还要更高。而Intel已发布的下一代制程工艺为与市场偏好妥协已改名为“Intel7”，则与台积电的“5nm”甚至“3nm”的工艺水平相当。

且不论目前国内的“7nm”工艺成熟度及具体数据还存在不少争议，即使此文声称的“7nm以下最先进的芯片，只有三个地方可以自己生产，这三个地方是中国台湾省，中国大陆，韩国。美国并没有解决7nm芯片的制造，而中国大陆解决了”，也完全是基于外行的认知而非技术现实。

这种比较不但毫无意义，对于国产芯片工艺突破“7nm”的重大意义也完全是画蛇添足！