我们可以魔改DUV光刻机，加上华为的新finfet技术，让中国追上世界先进制程

【本文来自《光刻机巨头ASML对华出货量飙升近2.5倍，浸润式DUV出现“超额营收”》评论区，标题为小编添加】

中国大概率已经可以通过修改和替换ASML或尼康、佳能的光刻机（主要是ASML）的部分组件，使其光刻精度达到10纳米以下，最多至7纳米的范围。换句话说，我们可以魔改DUV光刻机，再加上华为发明的一种新finfet技术，让中国追上世界先进制程。

在21年我们就用最先进的激光干涉仪，在尼康 NSR光刻机上进行了试验，测量精度达到6纳米，对校准帮助极大，证明我们已经有了魔改的基础，之后如果我们自研了更高级的其他组件，很可能也会用于此。

而华为自研的finfet，这一阵子也挺火，用扩大栅极面积的方法，7纳米huawei finfet可以媲美3纳米的GAA的整体效能，并且只需要DUV就能做，成本更低。

不然为啥我们还在大量扩厂呢？前魅族老总也说过未来1年中国非美设备能做到7纳米，以上都是公开信息。