提炼最纯净的锗,看见看不见的“光”
2023年7月3日,商务部及海关总署公告对镓、锗相关物项实施出口管制,以维护国家安全和利益。这条消息把镓(Ga)和锗(Ge)这两种大众较为陌生的元素推上舆论热点。镓可以被制成砷化镓等第二代半导体材料、氮化镓等第三代半导体材料和氧化镓等第四代半导体材料,在光电、射频、功率器件方面发挥重要作用;而锗除了在半导体中的应用,亦是光电领域的关键元素,还可以作为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET,做成化纤就是聚酯、涤纶,做成塑料的典型用途就是一次性瓶子)的聚合催化剂。
全球已探明的锗保有储量为8600吨(这是较老的数据了),主要分布在美国、中国和俄罗斯,其中美国储量占比45%,中国占比41%(主要分布在云南和内蒙古),俄罗斯占比10%。锗在地壳中的含量稀少而分散,很难独立形成矿产,一般伴生于铅锌矿床中(上图),或存在于含锗褐煤里(下图),含量仅十万分之几到万分之几。美国虽然有丰富的铅锌矿伴生锗,但受限于去工业化后铅锌产量低下,以及对国内资源的保护,锗的产量聊胜于无;在我国,含锗褐煤是最重要的锗来源,亦有铅锌矿伴生锗的利用,每年生产锗100吨左右,占全世界的约70%。
在褐煤中,锗元素大多以四价状态被有机物螯合,只有通过燃烧,去除有机物,才能把锗释放出来。
在这个过程中,高温、还原性的条件使四价锗还原为一氧化锗(GeO),这是一种暗棕色或灰色粉末,710℃升华,进入烟气中。
烟气通过冷却器(烟气在冷却器的曲折管路里流动,向周围空气散热),温度降低,GeO被烟气中过剩的O2氧化为二氧化锗(GeO2)固体粉末,被收尘器收集起来。
接下来用盐酸浸出烟尘中的锗(从铅锌矿冶炼过程中回收的锗精矿也照此处理),因为GeO2能够被溶解为四氯化锗(GeCl4),后者是一种挥发性液体,经过蒸馏提纯,得到高纯度的GeCl4(就类似于提纯硅时,把硅转化为挥发性的SiHCl3)。用纯水水解GeCl4得到高纯GeO2(GeCl4 + 2H2O → GeO2 + 4HCl)。
高纯GeCl4是重要的光纤生产原料。光纤具有芯部折射率高、包层折射率低的特殊结构,利用光的全反射现象使光能够沿着弯曲的光纤传播。在石英玻璃光纤中,通过GeCl4的水解掺入GeO2,能够提高芯部石英玻璃的折射率(上图为光纤预制棒,可见内外折射率的差异,预制棒再通过熔化、拉丝制成光纤)。
用氢气还原GeO2,则可以得到金属锗(GeO2+ 2H2 → Ge + 2H2O),但纯度还不够高。
金属锗的提纯方法是区域熔炼法(简称“区熔法”)。金属锗中如果含有杂质,一般会降低熔点,且杂质更倾向于分布在液相中,即在熔化锗的过程中,液相的杂质含量要高于剩余的固相;反过来,当含有杂质的液态锗冷却时,杂质更倾向于停留在液相中,先期凝固的锗中含有的杂质就变得更少。这就是区域熔炼法所依据的原理。用一段短小的加热线圈熔化锗锭的一端,随后缓慢向另一端移动,被线圈扫过的部分受热熔化,又在线圈通过以后凝固,但其中的杂质被“困”在线圈所笼罩的液相中,随着线圈的移动而被“驱赶”到锗锭的另一端。这样的熔炼过程反复多次进行,直到锗锭的主体部分达到所需的纯度,而富集了杂质的端头被切除。
通过区域熔炼法,可以得到纯度在99.999%(5个9,5N)以上的区熔锗锭,甚至能做到13N的纯度。
区熔锗锭是多晶的。就像以多晶硅为原料生产单晶硅那样,通过直拉法可以得到锗单晶。
在一锅液态锗中放入一小块锗籽晶(晶种),边旋转边提拉,液态锗就依附于籽晶凝固,长成一根圆柱形的大单晶棒。
金属锗能够透过红外线但不能透过可见光,因此锗单晶可以被加工为红外透镜(做成单晶是为了避免晶界对红外线的散射),用于导弹、红外热成像、红外光谱仪等领域,在抗击新冠肺炎疫情中发挥了独特的作用。
直拉法虽然生长速度快,但是因为晶体生长过程中的热应力大,晶体内的位错缺陷较多,不适合作为高效太阳能电池和超高亮度LED的衬底片。
以锗单晶为衬底,沉积砷化镓(GaAs)和磷化镓铟(GaInP),制成的三结砷化镓太阳能电池的光电转换效率可达40%以上,比晶硅太阳能电池高一倍。对于每一克重量的发射成本就相当于一克黄金的航天事业而言,即便这种电池造价高昂,更高的发电效率带来的重量节省依然是非常诱人的。制造一颗普通卫星,大约就需要6000~15000片含有锗衬底的太阳能电池。
要得到位错密度低的高质量锗单晶,需采用垂直温度梯度凝固法(VGF)。
把区熔锗锭放入热解氮化硼陶瓷(PBN)坩埚中,置于石英管内,抽真空、封焊。
坩埚被竖直放入单晶炉内,加热熔化锗锭(锗的熔点为937.4℃)。随着升降机的缓缓运动,坩埚通过单晶炉的不同温度区,在精准控制降温的条件下,液态锗从坩埚尖端开始逐渐凝固。
在坩埚的尖端,要预先放入一小块锗籽晶,引导锗晶体的生长,从而获得单晶。
之后还要把封在石英管内的单晶做退火处理,进一步提升均匀性、消除应力。
锗单晶锭经过切割、研磨抛光(下图),得到锗单晶衬底片。
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