氮化镓可是第三代半导体材料

【本文来自《商务部、海关总署：对镓、锗相关物项实施出口管制》评论区，标题为小编添加】

氮化镓可是第三代半导体材料，在军用相控阵雷达能提升显著能效，装氮化镓雷达后，歼16对F22的视距可达160公里，氮化镓器件功率大、效率高的特点，从一反一正两个方面促进了雷达探测距离的提高。以下为摘抄于：《小飞帅谈装备》

要说氮化镓雷达最大的优势，就是探测距离远大于砷化镓雷达，原因主要有以下两点：

一是功率大。硅基材料一般只能承受200℃，砷化镓也不过600℃左右，而氮化镓的熔点高达1700℃，因而氮化镓材料可承受的功率负荷更大。另外，氮化镓器件的禁带宽度为3.4eV，约为砷化镓的2.4倍，硅的3倍。禁带宽度大表明电子需要更大的能量才能成为自由电子，这就赋予了氮化镓材料更大的击穿电压(可达100V)。正因为如此，氮化镓器件的功率可以达到砷化镓的10倍。例如，2008年，我国单个氮化镓收发单元的功率就达到了119瓦，正好是砷化镓的十几倍。二是效率高。氮化镓器件的内部电阻非常低，且更高的击穿电压也使氮化镓器件的泄漏电流比硅、砷化镓器件少，这都有助于提高效率。再就是因为氮化镓有更好的耐高温性能，在同样功率条件下，与砷化镓材料相比，冷却消耗的电能就更低，这对效率的提高也是大有帮助的。