ASML计划于2025年出货High-NA EUV设备

据日本媒体报导，光刻机巨头艾司摩尔 (ASML) 执行副总裁 Christophe Fouquet近日表示，半导体产业需要 2030 年代开发数值孔径 0.75 的超高 NA EUV 光刻技术，满足半导体发展。

Christophe Fouquet 指出，自 2010 年代以来 EUV 技术越来越成熟，半导体制程微缩至 2020 年前后三年，以超过 50% 幅度前进，但这一速度可能会在 2030 年代放缓不敷使用。

故而，ASML计划年底前发表首台商用 High-NA (NA=0.55) EUV 微影光刻设备 (原型制作)，2025 年量产出货。2025 年开始，客户就能从数值孔径为 0.33 传统 EUV 多重图案化，切换到数值孔径为 0.55 High-NA EUV 单一图案化，降低制程成本，提高产量。

High-NA EUV设备预估会有五大客户：英特尔、台积电、三星、SK海力士、美光，可最早使用设备。

据介绍，柯林研发、科磊、HMI 和 JSR 及东京电子等正与 ASML 合作，开发 High-NA EUV 材料与特用化学品。

据了解，当前EUV光刻机价格为每套3亿美元，因此可预计，未来High-NA EUV 价格也将相当昂贵。