主导光刻机研发的长春光机所获批中国科学院精密光电制造技术工程实验室

多读书！！！！
告诉俺，你说的：当中又有不少是国外进口的关键零件 
是谁的  谁会出口给中国？？？？？？
上海微电子将于今年（2020年）12月下线首台采用ArF光源的可生产11纳米的SSA800/10W光刻机(单次曝光28nm节点浸没光刻机)，采用NA1.35透镜组，并搭载超精密磁悬浮双工件台和超纯水浸入系统。同时采用华卓精科工作台的套刻精度指标优于1.7纳米。该光刻机有生产7nm制程的潜力（多次曝光）。该网友同时贴出SMEE的双工件台曝光系统的操作控制界面。同时还透露长春光机所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光机，预计两年内可推出。



光刻机的两大核心部件为双工件台和曝光系统。根据此前媒体透露消息，清华大学朱煜教授带领的团队在2014年研发出工件台样机，掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到MA：2.2nm、MSD:4.7nm，使中国成为第二个掌握此技术的国家。随后依托该技术产业化成立华卓精科向市场推出商用光刻机双工件台产品。另外在EUV曝光系统方面，长春光机所于2002年研制国内第一套EUV光刻原理装置，于2016年成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，2017年32nm线宽的13.5nm极紫外光EUV光刻曝光系统通过验收。科益虹源在2018年成功商用的浸没式193nm准分子激光器。
其它核心器件技术方面，依托浙江大学研发团队的启尔机电推出了可用于最高11nm制程浸没式光刻机的浸液系统。中微半导体也推出用于5nm制程蚀刻机。南大光电研发出193nm光刻胶。华为自研EDA已进行7纳米验证。

国产深紫外浸入式光刻机（DUV）在今年就要下线了,其中：
1． 由上海微电子负责总体集成，超精密光栅系统来自中国科学院上海光学精密机械研究所。
2． 光刻机物镜组来自北京国望光学。
3． 光源来自科益虹源。
4． 浸液系统来自浙江启尔机电。
5． 双工件台来自华卓精科。
这个光刻机的套刻精度为4纳米，可以适用于11纳米曝光。由双工件台技术指标可以得知这个光刻机每小时可以曝光160—180片12英寸晶片。
极紫外光刻机（EUV）：

1.  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所在2016年验收了原理技术样机，在近两年会下线第一台验证机。
2.  极紫外光源方面，哈尔滨工业大学方面负责的DPP—EUV光源已经到了接近125W的水平，基本可以支持中国科学院长春光学精密机械与物理研究所完成一套一小时曝光60—70片12英寸晶片极紫外光刻机验证机。
3.  在光刻机物镜方面由北京某企业负责的物镜超精密加工机床也通过了验收。
4. 2018年5月24日，国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项（以下简称02重大专项）实施管理办公室组织任务验收专家组、财务验收专家组对02重大专项”极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目进行了任务验收和财务验收。