工信部首次公布光刻机参数，技术解读

1. 氟化氪、氟化氩光刻机，这是指光源KrF激光，ArF激光。ArF就是著名的193nm光源，这是所有DUV光刻机的标准光源波长。KrF波长是248nm，也很常用，但关注度低一些。这是首次公布DUV体系的光刻机参数。

2. 套刻<=8nm，这是对芯片制造技术不熟悉的群众容易出现误解的一个指标，如不少人直觉认为是“可以干到小于8nm”芯片制程。套刻的英文是overlay，重叠，指的是光罩（掩膜板，mask）成像对准的误差。芯片制造需要很多道工序，曝光可能要好几十次，要拿出上张mask，换下一张mask，前后两张mask最好完全定位对准完全一样，但做不到会有偏移误差，小于8nm就是会有一定的误差。

3. overlay的8nm套刻精度，和7nm芯片这个制程概念完全不是一回事。7nm、28nm、45nm芯片制程，直接定义是“晶体管栅极距离”，可以理解为晶圆上挖很多沟槽，沟的间距是28nm、7nm（实际可能是10nm，立体等效为7nm）这些级别。这和工作台挪动前后两个mask对准，不是一个难度。如果要做7nm芯片，套刻精度要小于3nm，如2.5nm，ASML的先进DUV光刻机是这个标准。

4. 晶圆直径300mm最简单，就是“12英寸”晶圆，还有8英寸的，这两种最常见，还有6英寸的。

5. 最关键的指标是“分辨率<=65nm”，这是指193nm波长在晶圆上成像的分辨率，大约是193nm约三分之一，不是巧合，是有光学公式背景的。这也说明，波长193nm没有玩花活，干式DUV光刻机。193nm波长的光，水里折射后变132nm，分辨率会进步。晶圆上加水的光刻机叫浸润式，immersion，型号就会是DUVi。干式可以进步变浸润式。

6. 这个ArF光刻机能加工的芯片，理论上应该是28nm。65nm分辨率还会用浸润式、OPC光学补偿、多重曝光等技术，能推进到28nm，而且性能提高、性价比特别好。28nm就成为传统芯片技术节点。

7. 那么这个最先进国产光刻机有没有实用量产28nm芯片？只能猜，我猜没有。因为现在28nm产线是用ASML光刻机，良率高，还没有被限制。良率很重要，低了芯片加工成本太高受不了。我猜这个光刻机在“良率爬坡”，也可能先试45nm芯片。等良率指标合格了，就可以进产线量产了，应该需要时间。

8. 往下怎么发展？套刻精度要继续进步到小于3nm，要加浸润式。更重要的是操作速度、配套软件，能不能0.1秒曝光一个芯片，一片晶圆一分钟光刻完事，慢了产能低。ASML光刻机那么多型号，就是这些指标不断进步。这是开发体系，建起来了，要耐心发展。如果三年后能大规模量产28nm芯片我就很开心了，什么时候能做7nm要观察。