其实不只光刻机，中国芯片制造在许多环节是没办法全国产的

【本文来自《专访英特尔宋继强：除了最先进的光刻机，英特尔制程反超台积电还有哪些招数？》评论区，标题为小编添加】

其实不只光刻机，中国芯片制造在许多环节是没办法全国产的，我们以国内某大厂的28nm产线为例， 整体国产化率不足20% 。国内各设备商确实在这段时间努力地推进国产化，并加上Fab业主也非常配合地大幅度放宽标准，加班加点给予设备商们认证，但此时此刻的2023年，以28nm来说，我们的国产化率最多也只能到40% 。

除了光刻机以外，28nm芯片工艺，包含薄膜沉积、离子注入、刻蚀、CMP、涂胶显影、清洗、量测检测、去胶等等所有环节，没有任何一个工艺我们是能全环节100%突破的，即便是门槛最低的清洗，去胶设备目前也只能做到50%-70%的国产化率，在清洗及去胶这类门槛最低的制程，关键的环节还是得用迪恩士、迪士科等进口设备，其他门槛更高的设备就更不用说了。而且还有更重要的一点是，每个环节最后比例的那些设备才是越来越难的关键设备， 后面的攻关难度会等比级数上升。

作者提供的讯息是目前业内的真实现况，与自媒体或某些国产设备商发布的这里突破封锁，那里又攻关完成，国产芯片设备似乎只差光刻机一个环节完全不一样，事实上每个环节的关键国产无一例外完全无法取代，即便是门槛最低的环节。

目前国内的所有 Fab在官方促进激励之下，都会尽量拉高国产化率，但这是需要付出代价的，就是良率大幅度下降，良率拉升也需要更多的时间。

以国内Foundry大厂为例，其28nm含美线旧厂良率能达到85%左右，而20%国产化率的新厂却不到7成，可想而知，如果将国产化率进一步提升到5成，良率大概率会落在50%甚至更低，南方H大厂在上海嘉定的非美线，因为国产化率太高约50% ，设备早已movie in快一年了至今无法拉通，作为对比的是台积电长久28nm良率98%。

我们得明白一般Foundry需要达到8成良率才能损益平衡, 国产化带来的是国内Fab在28nm以下先进制程, 将长期在亏损线之下, 当然目前国内Fab接受政府许多的补贴以及大量政策扶持的贷款以维持现金流与利润, 但这并非长久之计。