#论芯之道 第二篇# NAND闪存的二种基本存储原理
永远怀念
2021-08-09 06:48
#论芯之道 第二篇# 浮栅FG与电荷陷阱CT，是NAND闪存的二种基本存储原理。美国英特尔公司是FG技术的始作俑者，一直将其延续到了超越等比例微缩传统摩尔定律的3D NAND闪存制造技术中，并为此与前几年合作开发3D NAND的美国美光公司发生了技术路线的重大分歧，毕竟进入3D世代之后，业界其它厂商，韩国三星、海力士，包括中国长江存储在内，都选择了CT技术路线发展，最终英特尔与美光结束合作，于是前者成为了世界上唯一的还在坚持FG技术路线的3D NAND厂商！决心已下，结果如何？整个业界，拭目以待……
