无压烧结银三大优势助力AI算力和先进封装大发展

无压烧结银三大优势助力AI算力和先进封装大发展

无压烧结银以低阻高热导、低温无压工艺、高可靠互连三大优势，成为 AI 算力与先进封装突破瓶颈的核心材料，在3D堆叠、Chiplet、CoWoS、CoWoP、CPO等场景中推动算力密度与能效双升，成本与良率同步优化。

一、核心价值：解决AI与先进封装三大痛点

1热管理突破：AS系列烧结银热导率达130-266W/m.K，热阻低至0.12℃·cm/W，比传统焊料Au80Sn20热阻降90%+，适配AI芯片瞬时热流> 500W/cm² 的散热需求，保障高负载稳定。

2高密度互连：AS9376烧结银的体积电阻<5.2×10⁻⁶Ω·cm，高频损耗低；无压低温130-200℃的低温烧结，避免芯片或者基板损伤，支撑3D堆叠、Chiplet的微间距互连，助力算力密度突破60TOPS/mm³。

3高可靠与降本：剪切强度>55MPa，热循环寿命> 1000次，适配严苛服役环境；CoWoP中可省ABF基板，封装成本低30%-50%，良率至98%。

二、 关键应用场景与量化收益

1 AI 加速卡GPU：3D堆叠+烧结银互连，热阻降70%，算力密度+40%，功耗-50%；HBM与GPU直接扇出封装，带宽达1.6Tbps。

2先进封装CoWoS/CoWoP/Chiplet：无压烧结银实现PCB替代ABF基板，成本降30%-50%；Chiplet中微凸点互连，信号延迟-25%，良率至98%。

3硅光模块和CPO：硅光芯片与驱动IC同步封装，信号损耗-20%，散热效率提升3倍，800G/1.6T光模块良率至98%。

4第三代半导体SiC/GaN：双面散热DSC，热阻-30%，功率密度+40%，电感 -70%，适配高算力电源与射频模块。

三、技术路径与 2026 趋势

1材料迭代：无压低温烧结的温度130-180℃成主流，如 AS9338和AS9335；银铜复合降本30%，导热保持率 >90%。

2工艺升级：AI 控温烧结曲线：升温 5-10℃/min，峰值 200℃±1℃，氮气保护，良率升至98%。

3市场爆发：2026年全球低温无压烧结银规模破5亿美元，年增42%；中国占比超60%，AI与先进封装驱动需求年增80%。

                                                                                          AS9376用于AI芯片封装