台积电美国第三座晶圆厂，开建

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

台积电直面亏损。

尽管位于美国的工厂在过去一年中出现了超过32亿元人民币的亏损，台积电仍持续推进在美国的扩张计划。公司高层表示，将在美国引入更先进的半导体制造产能。

近日，台积电位于亚利桑那州的第三座晶圆厂正式动工。这一进展由台积电董事长兼总裁魏哲家在最新声明中披露，显示出公司在当地布局的决心。

根据台积电发布的2024年度报告，虽然第一座亚利桑那工厂已实现量产，但由于从产品量产到营收确认存在时间差，导致设在美国的子公司TSMC Arizona Corporation在去年的亏损进一步扩大，亏损金额从2023年的约109.25亿元新台币上升至2024年的142.98亿元新台币。

目前，亚利桑那工厂已获得包括苹果、英伟达、AMD、博通及高通在内的五家主要客户支持。业内普遍认为，随着这些客户逐步导入量产，配合后续第二、第三座晶圆厂的陆续投产，将有助于该地区产能逐步达到经济规模，从而缩小亏损幅度。

按照规划，亚利桑那第一座晶圆厂已于去年第四季度开始使用4nm制程技术进行生产；第二座晶圆厂的厂房建设已告完成，目前正在进行厂务系统安装工作，包括无尘室和机电工程，预计这座工厂将采用3nm制程技术。

至于刚刚开建的第三座晶圆厂，则被寄予更高期望，业内人士猜测这座工厂将采用2nm甚至更为先进的制程技术进行芯片制造。此举旨在通过在美国本土生产最高端半导体产品，以更好地应对客户需求的增长。

至于这座工厂能否如愿生产2nm尚且存疑。

据中国台湾《经济日报》报道，中国台湾计划加强对先进制程技术出口以及对外半导体投资的管控，相关新规预计将对台积电等企业产生重大影响。

此次修订的规则基于修订后的《产业创新法》第22条，预计将于2025年底生效，不过经济部表示，该法的实施日期将在各子法规修订后（六个月内）公布，这意味着最早可能在2025年底开始实施。

新的法律措施将强制执行“N - 1”技术限制，实质上禁止台积电出口其最新生产节点，并对违规行为处以罚款。行政院长赵荣泰确认的“N - 1”政策将适用于台积电在美国的计划生产，该政策限制了最先进工艺技术的出口，仅允许将比其早一代的技术部署到国外。

此前，中国台湾法规并未明确要求对半导体制造工艺进行此类管控。此次修订还引入了此前未曾出现的处罚措施：未经事先批准在海外投资的公司可能面临5万至100万新台币（约合30,830美元）的罚款；如果投资已获批准，但公司随后未能纠正已发现的违规行为（例如危害国家安全或损害经济发展），当局可处以50万至1000万新台币（约合15,414美元）的重复罚款。不过，鉴于台积电计划在其美国工厂投资1650亿美元，30万美元的罚款几乎不会影响公司的盈利。

不止是台积电，另一家芯片大厂也正面临美国芯片工厂盈利难的问题。

据悉，三星电子位于得州泰勒工厂的建设进度已达99.6%，基本完工，通常情况下应开始搬入设备，但三星目前仍在犹豫是否下单。虽然其对外仍表态“泰勒工厂将在2026年按原计划投入运营”，但公司内外部普遍预计，考虑到市场行情和订单情况，销售额将会偏低。

此外，美国政府已预告将对半导体征收至少25%的关税，一位熟悉三星电子的业内人士称，鉴于三星持续推迟设备投入，很可能会在搬入时面临高额关税。此外，由于难以向美国派遣所需劳动力，因此在人力招聘上也将产生不小的成本。更糟糕的是，阿斯麦的极紫外光刻设备每台成本高达5000亿韩元，仅关税一项就可能达到数千亿韩元。

除三星电子外，SK海力士也正推进美国建厂项目，韩国纽西斯通讯社报道称，韩国业界也有意见认为，这些韩企也需重点关注建筑及运营成本的效率化问题。当前原材料供应链风险加剧，再加上美国政府可能削减半导体补贴的传言，使得像台积电那样遭遇大规模亏损的可能性显著提升。

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