三星大幅削减3D NAND生产光阻剂用量，为节约成本

近期，三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了显著技术突破，成功减少了光阻剂（PR）的使用量。据韩媒《The Elec》报道，三星通过优化涂布机转速和蚀刻工艺，已将每层光阻剂的使用量从78cc降低至44.5cc，相当于减少了一半。这项创新不仅显著节省了生产成本，还提升了制程效率，标志着三星在NAND制程技术上的又一重要进展。

三星一直以来都致力于通过技术改良提升NAND制程效率，并降低成本。此次光阻剂用量的削减主要得益于两项核心优化：

控制涂布机转速（rpm）：通过对涂布过程中旋转速度的精准调控，三星显著减少了光阻剂的浪费，同时确保了涂层的质量。

调整涂层蚀刻条件：光阻剂涂布后的蚀刻环节经过改良，使得即使减少用量，仍可达到或超过原先的工艺效果。

随着3D NAND堆叠层数不断攀升，生产成本也随之增加。为提升效率，三星在第7代和第8代3D NAND中采用了厚氟化氪（KrF）光阻剂，这种材料一次即可形成多层。然而，厚光阻剂由于高黏度带来的涂层均匀性问题，给生产带来了新的挑战。

早在2013年之前，三星便与韩国化学材料公司东进世美肯（Dongjin Semichem）展开合作，共同研发适合高层数NAND制程的光阻剂。东进世美肯作为三星KrF光阻剂的独家供应商，为第7代3D NAND提供了11微米厚的光阻剂，第8代则提升至14微米。这些厚光阻剂在提高效率的同时，保证了层间的均匀性和工艺稳定性。

据悉，三星已为第9代3D NAND制定了全新的生产路线图，计划全面采用这项光阻剂减量技术。得益于转速控制和蚀刻条件的改进，三星在保持高制程良率的同时，大幅削减了光阻剂使用量。业内人士估计，这一改变每年可为三星节省数百亿韩元的生产成本。

然而，这项技术突破也对东进世美肯带来了潜在影响。光阻剂需求的下降可能导致东进世美肯向三星的供应订单减少。当前，东进世美肯每年在光阻剂业务上实现约2500亿韩元营收，其中60%来自三星。面对这一变化，东进世美肯董事长Lee Boo-Sup已要求其原材料供应商采取相应的成本削减措施，以应对未来可能的市场调整。

三星在光阻剂使用上的创新不仅是其技术实力的体现，也展示了其在降低生产成本上的长期规划能力。3D NAND的市场竞争日益激烈，各厂商都在努力降低生产成本以提升市场份额。通过减少光阻剂用量，三星有望在未来的市场竞争中进一步巩固其领先地位。

然而，这一技术变革也表明，产业链上下游之间的合作模式需要进一步调整。作为三星的重要供应商，东进世美肯未来可能需要探索新市场或开发其他高附加值产品，以减少对单一客户的依赖。

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