【科技】中国在半导体领域不断取得新进展

【来源龙腾网】

正文原创翻译：

Nhiều công ty Trung Quốc tuyên bố đạt đột phá trong lĩnh vực bán dẫn, chủ yếu liên quan đến thiết kế và sản xuất chip.

许多中国公司宣布在半导体领域取得突破，主要涉及芯片设计和制造。

Sau vài năm chịu lệnh cấm vận công nghệ của Mỹ, Trung Quốc bắt đầu đạt được thành tựu nhất định trong quá trình tự chủ bán dẫn.

在遭受了美国数年的技术封锁后，中国开始在半导体自主化进程中取得一定成就。

Cuối tuần trước, People's Daily đưa tin JFS Laboratory, một cơ sở nghiên cứu quang tử do Trung Quốc tài trợ có trụ sở tại Vũ Hán, thử nghiệm thành công việc "thắp nguồn sáng laser tích hợp với chip silicon", còn gọi là quang tử silicon. Đây là lần đầu Trung Quốc thực hiện thành công thử nghiệm này và được miêu tả là "đã lấp đầy một trong số ít chỗ trống" trong công nghệ quang tử.

上周末，《人民日报》报道称，位于武汉的中资光子学研究机构——JFS实验室成功地将激光光源与硅芯片耦合，这是中国首次成功进行了这项测试，被描述为“填补了中国光电子领域的一大技术空白”。

Về nguyên lý, quang tử silicon dựa vào tín hiệu quang học để dẫn truyền thay vì tín hiệu điện. JFS Laboratory cho biết mục tiêu của đơn vị là giải quyết các giới hạn hiện tại trên công nghệ truyền thống, với mục đích phá vỡ giới hạn vật lý của việc truyền tín hiệu điện giữa các chip hiện tại.

从原理上讲，硅光子学利用光信号而不是电信号进行传输。JFS实验室表示，其目标是解决现有传统技术的局限性，旨在突破现有芯片之间电信号传输的物理极限。

Sui Jun, Chủ tịch công ty bán dẫn Sintone ở Bắc Kinh, đánh giá với công nghệ mới từ JFS Laboratory, Trung Quốc hoàn toàn có thể tự sản xuất chip bằng "nguyên liệu thô và thiết bị tương đối hoàn thiện" mà không còn quá phụ thuộc vào các cỗ máy quang khắc cực tím (DUV), vốn được cung cấp chủ yếu bởi ASML của Hà Lan.

北京芯动科技有限公司总裁隋峻认为，凭借JFS实验室的新技术，中国完全可以利用“相对完善的原材料和设备”自主生产芯片，不再过度依赖主要由荷兰ASML公司提供的深紫外光刻机（DUV）。

原创翻译：龙腾网 https://www.ltaaa.cn 转载请注明出处

Theo SCMP, bước tiến về phát triển quang tử silicon có thể giúp lĩnh vực bán dẫn Trung Quốc vượt qua các rào cản kỹ thuật hiện tại, nhất là trong thiết kế chip, để hướng đến việc tự sản xuất thay vì phụ thuộc vào các công nghệ của nước khác trong bối cảnh bị Mỹ cấm vận.

据《南华早报》报道，硅光子学的发展和进步可能会帮助中国半导体行业克服当前的技术障碍，尤其是在芯片设计方面，从而在美国禁运的情况下实现自主生产，而不再依赖其他国家的技术。

Hồi tháng 1, báo cáo từ Trung tâm Nghiên cứu chiến lược và quốc tế (CSIS) cho biết quang tử silicon có thể trở thành "mặt trận mới" trong cuộc chiến công nghệ Mỹ - Trung. Intel, Nvidia và TSMC cũng đang để mắt đến các tiến bộ ở lĩnh vực này. Còn thống kê từ Hiệp hội công nghiệp bán dẫn quốc tế SEMI cho thấy thị trường này đạt 1,26 tỷ USD năm 2022 và dự kiến lên mức 7,86 tỷ USD vào năm 2030.

在1月份，一份来自战略与国际研究中心（CSIS）的报告指出，硅光子学可能成为中美科技战的“新战场”。英特尔、英伟达和台积电也在关注该领域的进展。国际半导体产业协会SEMI的统计数据显示，该市场在2022年的规模为12.6亿美元，预计到2030年将达到78.6亿美元。

Đầu tháng 10, một công ty có trụ sở tại Vũ Hán khác là Numemory cho biết đã sản xuất thành công mẫu chip NM101 64 GB, một loại chip bộ nhớ lớp lưu trữ (SCM). Theo tuyên bố, chip hoàn toàn được sản xuất bằng công nghệ trong nước, "dự kiến phá vỡ thế độc quyền lâu dài của các tập đoàn quốc tế trong lĩnh vực bộ nhớ lưu trữ".

10月初，另一家位于武汉的公司——新存科技宣布成功研发出了64GB的NM101芯片，这是一种存储级内存（SCM）芯片。据声明称，该芯片是完全基于国产技术制造出来的，“预计将打破国际巨头在存储级内存领域的长期垄断地位”。

原创翻译：龙腾网 https://www.ltaaa.cn 转载请注明出处

SCM là công nghệ bộ nhớ và lưu trữ mới để xử lý dữ liệu, kết hợp các tính năng có trong bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) và bộ nhớ flash NAND truyền thống, được trang bị trên smartphone và các thiết bị điện tử tiêu dùng khác. Còn được gọi là bộ nhớ liên tục, SCM cung cấp khả năng lưu trữ không biến động nhanh cho các bộ xử lý được sử dụng trong máy chủ và hệ thống lưu trữ trong các trung tâm dữ liệu.

SCM是一种用于数据处理的新型内存和存储技术，它同时具备了在智能手机和其他消费电子设备中都有搭载的动态随机存取存储器（DRAM）和传统NAND闪存的优点。SCM也被称为持久化内存，它为服务器和数据中心存储系统中使用的处理器提供快速非易失性存储。

Cho đến nay, sản phẩm SCM tương tự do các công ty Trung Quốc bán trên thị trường chỉ cung cấp dung lượng ở mức MB. Do đó, việc Numemory công bố một sản phẩm có dung lượng GB giúp "giảm đáng kể sự phụ thuộc của quốc gia vào công nghệ bộ nhớ nước ngoài".

到目前为止，中国公司销售的类似SCM产品提供的容量仅为MB级别。因此，新存科技发布的GB级产品有助于“显著降低国家对国外内存技术的依赖”。

Giữa tháng trước, Trung Quốc cũng quảng bá hai máy quang khắc tự sản xuất, được xem là "đạt bước tiến đáng kể" trong nỗ lực tự chủ công nghệ bán dẫn. Danh sách "thiết bị quan trọng" do Bộ Công nghiệp và Công nghệ Thông tin Trung Quốc (MIIT) công bố ngày 13/9 cho thấy, hai máy quang khắc mới "đạt được những đột phá công nghệ quan trọng, sở hữu quyền sở hữu trí tuệ nhưng chưa được thương mại hóa".

上月中旬，中国还展示了两台国产光刻机，这被认为是其在半导体技术自主化努力中“取得了显著的进展”。中国工业和信息化部（MIIT）9月13日发布的“关键设备”清单显示，这两台新型光刻机“取得了重要的技术突破，拥有自主知识产权，但尚未实现商业化”。

原创翻译：龙腾网 https://www.ltaaa.cn 转载请注明出处

MIIT không nêu tên công ty đứng sau, nhưng cho biết hệ thống sử dụng công nghệ quang khắc bằng tia cực tím sâu (DUV). Một máy hoạt động ở bước sóng 193 nanomet (nm), với độ phân giải dưới 65 nm và độ chính xác chồng lớp dưới 8 nm. Máy còn lại có bước sóng 248 nm, độ phân giải 110 nm và độ chính xác chồng lớp 25 nm.

工信部没有透露其背后的公司名称，但表示该光刻机采用了深紫外光刻（DUV）技术。其中一台的工作波长为193纳米（nm），分辨率低于65nm，叠加精度低于8nm。另一台的工作波长为248nm，分辨率为110nm，叠加精度为25nm。

Dù kém xa các mẫu máy từ ASML, giới chuyên gia đánh giá hai cỗ máy vẫn là thành tựu trong việc chế tạo thiết bị quang khắc bán dẫn của Trung Quốc. Nước này đã dành nhiều năm theo đuổi tự chủ công nghệ bán dẫn, nhưng tiến bộ của họ trong việc sản xuất các hệ thống quang khắc cho sản xuất chip tiên tiến vẫn còn chậm.

尽管与ASML的设备相比还有一定的差距，但专家认为这两台机器仍然是中国在半导体光刻设备制造领域取得的重要成就。中国多年来一直致力于半导体技术的自主化，但在制造用于尖端芯片生产的光刻设备方面，其进展仍然十分缓慢。

Ngày 31/8, công ty bán dẫn Cixin Technology cũng đã giới thiệu mẫu chip có thể đạt khả năng xử lý 45 tỷ phép tính mỗi giây gọi là Cixin P1, tên mã CP8180. Đây là chip SoC dành cho máy tính và hệ thống AI được xây dựng trên kiến trúc Arm tiến trình 6 nm, gồm CPU 12 lõi tốc độ 3,2 GHz, GPU 10 lõi và một bộ xử lý thần kinh NPU có khả năng đạt 30 TOPS (tỷ phép tính mỗi giây), cho hiệu năng xử lý tổng thể lên 45 TOPS.

8月31日，此芯科技公司还发布了一款名为此芯P1（型号CP8180）的芯片，其运算能力可达45万亿次/秒。这是一款用于计算机和人工智能系统的SoC芯片，基于Arm架构，采用了6nm的制程工艺，包含12核3.2GHz CPU、10核GPU和一个运算能力能够达到30万亿次/秒的神经处理单元（NPU），其总处理能力可达45万亿次/秒。

Theo Tom's Hardware, dù chưa đáp ứng được mục tiêu của Bắc Kinh về một bộ xử lý hoàn toàn sản xuất trong nước do sử dụng kiến trúc của Arm, Cixin P1 là bước tiến lớn, bù đắp sự thiếu hụt chip AI của thị trường Trung Quốc.

据Tom's Hardware报道，虽然由于采用了Arm架构，尚未达到中国完全国产化的目标，但它仍然是一个巨大的进步，弥补了中国市场人工智能芯片的短缺。

原创翻译：龙腾网 https://www.ltaaa.cn 转载请注明出处

Giữa tháng 7, nhóm nhà khoa học do Liu Kaihui của Đại học Bắc Kinh, Liu Can của Đại học Nhân dân Trung Quốc và Zhang Guangyu của Viện Vật lý thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc phát triển thành công phương pháp chế tạo để sản xuất vật liệu bán dẫn mỏng 0,7 nm.

7月中旬，由北京大学刘开辉、中国人民大学刘灿和中国科学院物理研究所张广宇领导的科学家团队成功研发出了一种制造方法，可生产出0.7nm厚的超薄二维半导体绝缘材料。

Công bố trên tạp chí Science, nhóm nghiên cứu đã ứng dụng chất có thể thay thế silicon gọi là kim loại chuyển tiếp hai chiều dichalcogenide (TMD). So với mức 5-10 nm của silicon, TMD chỉ dày 0,7 nm. Chất này cũng tiêu thụ ít điện năng hơn và có đặc tính truyền điện vượt trội, khiến chúng trở nên lý tưởng cho việc xây dựng chip chứa bóng bán dẫn có kích thước cực nhỏ.

该研究团队在《科学》杂志上发表的论文中称，他们生产出了一种可以替代硅的材料——二维过渡金属二硫属化物（TMD）。与5-10nm的硅相比，TMD的厚度仅为0.7nm。这种材料消耗的能量更少，并具有优异的导电性，使其成为构建包含极小尺寸晶体管的芯片的理想选择。

Dù đã phát hiện từ lâu, việc sản xuất TMD đến nay vẫn gặp nhiều thách thức. Tuy nhiên, nhóm nghiên cứu đã tìm ra cách sắp xếp các tinh thể với tốc độ hình thành lớp tinh thể là 50 lớp mỗi phút, tối đa là 15.000 lớp, qua đó cho phép sản xuẩn TMD với số lượng lớn.

虽然这种材料早已被发现，但在其生产的问题上至今仍面临许多挑战。然而，该研究团队找到了一种方法，可使晶体层架构速度达到每分钟50层，层数最高达1.5万层，从而实现了TMD的大规模生产。

Nhóm cũng cho biết thêm các vật liệu TMD sau khi sản xuất đều đáp ứng tiêu chuẩn quốc tế về vật liệu mạch tích hợp. Dù vậy, thông tin về việc thương mại hóa chưa được đề cập.

该团队还补充说，生产出来的TMD材料均符合集成电路材料的国际标准。但并未提及有关商业化的信息。

Trung Quốc đang tiếp tục thúc đẩy phát triển bán dẫn nội địa. Cuối tháng 8, Bắc Kinh đã thành lập quỹ bán dẫn với số vốn đăng ký là 8,5 tỷ nhân dân tệ (1,2 tỷ USD). Trước đó, quỹ Big Fund cũng đã đi vào giai đoạn ba với số vốn đăng ký vượt 344 tỷ nhân dân tệ (gần 49 tỷ USD) tính đến hết tháng 5, gần bằng mức 53 tỷ USD mà Mỹ đang triển khai thông qua Đạo luật CHIPS và Khoa học. Các nhà phân tích dự đoán các quỹ sẽ giúp đẩy nhanh tiến độ tăng cường tự chủ công nghệ của Trung Quốc, giúp nước này sớm hái nhiều "quả ngọt" thời gian tới.

中国正在继续推动国内半导体产业的发展。8月底，一支注册资本为85亿元人民币（12亿美元）的半导体基金在北京成立。而在此之前，“大基金三期”已于5月底完成注册，注册资本超过3440亿元人民币（近490亿美元），几乎相当于美国在《芯片和科学法案》中承诺投入的530亿美元。分析人士预测，这些基金将有助于中国加快技术自主化的进程，使其在不久的未来收获更多“甜蜜的果实”。