目前光刻机造芯片，在用的主要是深紫外DUV和极紫外EUV两种类型的紫外光

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• 多佐罗夫同志

• “本届进博会期间，该公司带来了其光刻解决方案的各种产品信息，包括三款应用广泛的深紫外系统（DUV）”

  包括三款应用广泛的深紫外系统（DUV）？有没有懂行的介绍一下

目前光刻机造芯片，在用的主要是深紫外DUV和极紫外EUV两种类型的紫外光。

深紫外中心波长约193纳米，配合沉浸式光刻（也就是把晶圆放水里进行光刻，利用水的折射率，可以进一步压缩光束的波长，实现更高的精度），单次曝光最多可以实现25-28纳米左右的制程。

极紫外中心波长约13.5纳米，可以实现的光刻精度优于DUV。

从目前各大半导体企业公布的信息看，目前的某纳米工艺，实际上都是“等效工艺”，也就是利用多种手段提高了晶体管密度，实现等效于某纳米工艺下的晶体管密度和芯片性能。而其实际制程工艺并没有那么小。

例如：

台积电的N3工艺（名义为3nm），其实际的金属半节距(metal half pitch)为23纳米

N2工艺（名义为2nm）对应的金属半节距为22nm

A14工艺（名义为1.4nm）对应的金属半节距为21nm

也就是说，别看很多境外半导体企业宣传的制程工艺有多先进，但是客观规律就是客观规律，并不是那么容易就突破的。他们产品的实际金属半节距（传统定义上的制程工艺）并不比我们先进多少。