kimi：根据最新的搜索结果，中国在光刻机技术方面取得了一些进展

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kimi：根据最新的搜索结果，中国在光刻机技术方面取得了一些进展。2024年9月14日的消息显示，工信部公布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，包含了氟化氩光刻机（DUV深紫外光刻机），这是一种重要的半导体制造设备。该光刻机的光源波长为193nm，能够实现的分辨率小于或等于65nm，套刻精度小于或等于8nm，主要应用于制造7纳米及以上工艺节点的芯片。这一技术装备的推广，对于提升中国半导体制造业的技术水平和自主创新能力具有重要意义。

此外，哈尔滨工业大学公布的“高速超精密激光干涉仪”研发成果，被认为是解决了7nm以下光刻机难题的关键技术之一。这项技术可以确保掩膜工作台、双工作台和物镜系统之间复杂的相对位置，实现光刻机的整体套刻精度，对于实现高端光刻机设备国产化创造了条件。

同时，中国科学院长春光机所也在EUV光源系统上取得了突破，这是EUV光刻机的核心部件，对于中国自主研发高端光刻机具有决定性的意义。

综合上述信息，可以看出中国在光刻机技术方面正在逐步突破，尤其是在DUV和EUV光刻机的关键技术上取得了进展，这将有助于推动中国半导体制造业的发展。