昕原半导体ReRAM（阻变存储器）中试线通线

近日，杭州昕原半导体主导建设的国内首条 28/22nm ReRAM（阻变存储器）12 寸中试生产线顺利完成自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片（试生产）。

据介绍，昕原半导体成立于 2019 年，专注于 ReRAM 新型存储器产品及相关衍生产品的研发，已成长为国内新型存储器技术的头部企业，也是国际上新型存储器产品商业化最快的公司。公司开发的 ReRAM 存储器具有密度高、能耗低、读写速度快及下电数据保存的特点，可形成未来存储架构的最后一级缓存（FLC，Final Level Cache），消除内存与外存间的“存储墙”。作为最具潜力的下一代主力存储器，ReRAM 能广泛应用于人工智能、工业控制、消费电子、汽车、物联网、云计算等领域。

据杭州日报报道，传统 CMOS 代工厂或因囿于资源所限，迭代速度较慢，从而影响工艺开发进度，而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度，但没有标准的 12 寸量产产线，实验成果往往很难走向量产。昕原自行搭建的 28/22nm ReRAM（阻变存储器）12 寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处，迭代速度快，产线灵活，拥有自主可控的知识产权，使得 ReRAM 相关产品的快速实现变成了可能。

昕原半导体相关负责人表示，目前在 ReRAM 领域国内外差距较小，壁垒尚未形成，为我国存储器产业实现“弯道超车”提供了可能。

目前该公司是除台积电外，唯一一家在 28nm / 22nm 先进制程 ReRAM 实现量产的公司。

昕原半导体是一家在上海临港新片区注册成立的新型存储技术公司。公司致力于打造新型存储产品及相关衍生品，重新定义存储、智能计算和信息安全，构建创新应用生态，以创新塑造存储与计算的未来，成为世界领先的新型半导体存储技术公司。为市场提供创新芯片产品、嵌入式技术授权和人工智能存内计算解决方案服务。公司产品涵盖嵌入式存储、中高密度非易失性存储、信息安全、存内计算(CIM)及存内搜索等多个应用领域，是集器件材料、工艺制程、芯片设计、IP授权和中试量产为一体的新型存储技术公司。

（以上转载，以下插花）

ReRAM本身容量密度较低，但可以多层堆叠（类比现在NAND闪存的堆叠），最终产品的容量密度可以相当高。

从性能特征上说，比较类似于Intel的傲腾。预期可以提供两类形式，一种是作为外存，类似闪存有更好的写入速度和高得多的覆写次数；另一种是作为可持久化内存，可以按单元地址而非按块读写，预期读速比内存慢得不多但写速差距明显。

另外，除了昕原，中芯国际也能提供40纳米ReRAM样片。