《构建自主可控的集成电路产业体系》印证了我的判断

《构建自主可控的集成电路产业体系》印证了“2028年国产光刻机量产28nm的判断”。

文章发在2026年2月13日《科技导报》，北大清华、长江存储等业界大佬发文提倡《构建自主可控的集成电路产业体系》。中芯国际创始人之一王阳元，北方华创董事长赵晋荣、长江存储董事长陈南翔、华大九天董事长刘伟平，这都是业内最高级企业家和学者。

文章特别关注了光刻机，提出"举全国之力打造中国版ASML"。这个目标早就是群众热盼的，乐观的认为只要1-2年就好了。文章提出：中国在激光光源、移动平台、光学系统等关键领域已取得突破，但如何以举国之力将其整合为完整产业体系，是"十五五"必须解决的问题。

我一直提了一个阶段性目标：2028年用国产光刻机，量产28nm芯片。需要是量产，让企业能不亏钱的，良率与稳定性指标有要求，难度其实很高。如果国产光刻机能量产28nm了，就必然是浸润式的DUV，在此基础上提升精度，换Finfet先进芯片工艺，就可以用多重曝光工艺，去试产7nm先进芯片。DUV光刻机在28nm的基础打得牢，7nm冲刺会比较快，因为中国用ASML光刻机生产7nm已经有了多年经验。

文章提出了“十五五”的五大发展目标：第一条，进集成电路产业强国前 3 名。第二条，芯片自给率提高到80%，小于1美元的中低档产品逐步减少、停止进口。这两条没直接提光刻机。

第三条，夯实自主可控的 28 nm 全产业链体系；14 nm 生产链能够稳定生产；初步完成全国产化的 7nm 生产线建设及试运行。这里就可以看出，和我猜测的完全一样！自主可控的28nm全产业链，必然是国产光刻机，而且14nm都要稳定生产，必须是量产。而7nm的目标，就不是量产，而是“初步全国产化试运行”，用国产DUV光刻机。十五五是到2030年，所以2028年国产光刻机量产28nm芯片是合理目标。

第四条，建设公共平台来验证最新器件结构、工艺、装备、零部件、材料、EDA 软件等。成熟的新结构器件迅速扩大产能。第五条，在基础研究领域，原始创新能更多地涌现，在新器件结构、新材料、新工艺研发和生产的某些领域引领世界发展潮流。这都是为了EUV光刻机作准备，但在2030年量产先进芯片较为困难。