国产光刻机水平不宜高估，警惕芯片业的速胜论

1. 近期国产光刻机有官方信息了，进了首台套目录。光刻机忽然成了大热点，许多明显不懂技术的人也出来宣传。由于知识门槛较高，错误言论又满天飞了。大约在2020-2021年，舆论也是疯狂炒作“100%国产7nm芯片”之类的假消息。光刻机不时有小道消息流传，股市都炒了几波。芯片、光刻机，流量很高都来说，知识又很难学习，是重灾区。

2. 个人感觉，官方对于光刻机是极为低调的。没有任何新闻，只是一个文件上列了国产光刻机技术指标。而且，显然行业有纪律，专业人士都不出来发言。其它行业技术突破，往往有报导，专业人士即使不主动出来宣传，也会接受采访。再一个，这个公布的光刻机，其实技术指标是偏低的，如果没有基础知识就容易误判。

3. 那国产“氟化氩光刻机”到底是什么水平？我们来看下技术指标，300 mm晶圆、193nm波长，这只是说明这是ArF的DUV光刻机，用来加工12寸晶圆，等于没有任何值得分析的信息。分辩率<=65nm，套刻<=8nm，这是两个关键信息，其实已经说明，这是一款相对初级的DUV光刻机，水平不宜高估。不仅没法用来加工7nm先进芯片，甚至28nm传统芯片都不容易。

4. 看图中的ASML光刻机指标，193nm波长的ArF光刻机型号是从最低档的1460K到最高档的2100i。分辩率<=65nm，就对应NXT1460K这款。而且1460K的套刻精度是3.5/5.0nm，这比国产机的<=8nm还要好。当然，国产光刻机具体如何，信息不足，我们只能参考一些信息判断。但应该可以得出结论，在DUV光刻机这个层面上，国产光刻机还有不小进步空间。套刻精度一开始群众误解了，不少懂的人解释了，不是芯片制程，而是前后mask摆放的误差。

5. 其它一些指标，其实也是很有意义的。如与产能相关的wph，每小时处理多少片晶圆，要200-300多片。这其实很吓人，一片晶圆上几百个芯片，每小时300片，可能有2万个芯片要曝光。一小时3600秒，所以每秒工作台要移动好几次，精准定位，再0.1秒这么短的时间完成曝光又快速移动。这对光刻机软硬件系统的要求是极高的。

6. 另一个指标是NA，物镜数值孔径，这是光学指标。这其实是中国差距较大的领域，甚至是最麻烦的一项。它是越大越说明水平高，高端DUV光刻机是1.35。而国产光刻机的数值应该是约0.75，正在努力做大。这一项，也对应ASML的NXT1460K的水平。其实还有一项隐含指标，就是“浸润式”光刻机，国产的应该是干式的ArF，而ASML的从1965开始就是ArFi，加了immersion，晶圆上加超纯水，波长变134nm了。

7. 还有一项叫“工艺节点”，按ASML给的，NXT1460K是用来做65nm芯片的，28nm不合适。按这图，如果要做28nm芯片，需要用浸润式光刻机。当然，如果不怕麻烦，用多重曝光之类的工艺，也许用国产光刻机做28nm是可以的。就如别人用EUV光刻机做7nm芯片，我们用DUV光刻机也能做，良率低、麻烦不少。但是，个人感觉还是应该开发国产浸润式光刻机来做28nm芯片，而非用干式光刻机上产能。

8. 从这些技术指标来看，国产光刻机的水平不宜高估。许多不懂技术指标的人，往往会相信“速胜论”，认为很快芯片业就突破了，让对手破产。这些判断听着很爽，但从技术上来说，是需要警惕的，很难成立。