国产半导体装备,特别是比较敏感的DUV光刻机等,外界很难获得真正的进展信息

【本文来自《工信部首次公布光刻机参数,技术解读》评论区,标题为小编添加】

  • 心率过快
  • 项立刚老兄讲,这个已经大量在用了,不用保密了,所以才出现在目录中。

这次的目录是时隔5年后的更新,上一次还是2019年版。和其他领域的设备不同,半导体行业目前有其特殊性,所以作者说的“只能猜”是对的。

如果根据目录的定义,作者说的对,项说的有误。根据目录的定义“首台(套)重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得市场业绩的装备产品包括前三台(套)或批(次)成套设备、整机设备及核心部件、控制系统、基础材料、软件系统等。”

但由于目前的情况,国产半导体装备,特别是比较敏感的DUV先进光刻机等,外界很难获得真正的进展信息。还是那句话,知道的不说,说的其实是不知道的。所以,现在的进展也未必遵守目录的定义,最乐观的估计是用国产设备28nm量产已经成熟了,而14nm已经量产突破了。我倾向于这个。因为半导体现在的特殊情况,工信部能公开的,大概率是有相当大把握的。

从这次目录来看,几乎都压在28nm节点上。28nm节点是个特殊节点,基本上是成熟和先进制程的分界点。从这个目录的重大意义来讲,就是官方已经正式发布了全国产的半导体工艺,设备和材料,已经可以量产最好的成熟制程了。在成熟制程的全国产设备已经可以开始全面替代了,这个意义重大。

非国产设备,华为和中芯国际已经用芯片证明了5/7nm制程无论是工艺,还是商业成本和良率已经和台积电齐头并进了。但5纳米以下,如果没有EUV光刻机和ASML最先进的DUV光刻机,暂时还非常难突破。

全部专栏