光刻机不该成为不可逾越的"卡脖子"技术

我将从三个方面方面阐述光刻机不该成为"卡脖子"技术：第一、光刻机是什么？第二、为什么ASML光刻机成了不可逾越的神话？第三、ASML光刻机是可以愉悦的，技术难度也不大；第四、为什么当前国产光刻机远远落后于ASML？

第一，光刻机是什么？光刻机只是一台反射型投影成像光学仪器，它不涉及超衍射极限，纳米技术，量子技术，石墨烯等前沿高新技术，它严格遵守了基础光学原理，它完全是应用光学、精密机械技术制造出来的，没有不可逾越的技术困难。

第二、为什么ASML光刻机成了不可逾越的神话？是因为：

ASML采用13.5纳米光源，该光源只有美国一家公司制造，台积电用该型号光刻机，实现了5纳米制程。而国产光刻机光源是194纳米，一般认为该光刻机的衍射极限半宽值是90纳米，是7纳米的13倍，这就造成ASML光刻机无法逾越的神话，知乎上还出现光刻机和氢弹比较的荒唐事。

第三、ASML光刻机的技术水平是可以接近的，并不是不可逾越：

一、90纳米和7纳米的差距，其实不存在。国产光刻机90纳米是该光刻机衍射值的简单计算；7纳米是台积电使用光源是13.5纳米的ASML的光刻机，实现的一种水平，是7纳米制程，不是超衍射极限值，ASML13.5纳米挂钩科技的理论衍射极限不是7纳米，一般是接近70纳米。真要比较，那就是使用相同光刻机的台积电和美国英特公司之间的比较，一个5纳米制程，一个中止在14纳米制程上，台积电使用ASML光刻机的水平远远高于美国英特公司。

二、ASML光刻机光源采用的是13.5纳米，只能采用反射光率，数值孔径值一般0.05，最多0.1，所以它的光刻机的理论衍射极限值在70纳米，最高不超过35纳米。而国产光刻机只能用194纳米光源，已经实现，采用水浸润技术提高到70纳米，再改进Na数值达0.7，就达40纳米左右。

综上所述，就光刻机而言，国产和ASML光刻机相差不大，下面就是如何用的工艺问题，这个问题一旦理论依据找到了，也不是难以逾越的困难，中芯国际不就是这样做的吗？它快实现7纳米制程了。

中国光刻机的突破，就成为两件事： 一，上海微电子攻克光刻机，在这个基础上将镜头数值孔径加大，当然加大的结果是光学装配校正难度加大。二，用户使用光刻机，哦不说，基础理论好的人，您们应该知道如何做了？反复做，就能将制程提高，我在这里提一个醒，衍射极限值是有问题的，到底是多少，该研究就可以触及光学基础的根本。

第四，为什么国内光刻机技术差距如此巨大》

      不过去重视，没有动用举国体制，从业人员多数来自电子行业，光刻机的基础理论差。