HBM4专用新设备，来了！

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

新推出的“TC Bonder 4”是能够生产 HBM4 的专用设备，与竞争对手相比，其生产率和精度显著提高。

韩美半导体（HANMI Semiconductor）宣布，将发布第 6 代高带宽存储器 （HBM4） 专用设备“TC Bonder 4 （TC BONDER 4）”。

HANMI Semiconductor 董事长 Kwak Dong-shin 表示：“英伟达将在今年下半年使用 HANMI Semiconductor 的 TC Bonder 生产其下一代产品 Blackwell Ultra。因此，我们的 HBM TC Bonder 的全球市场份额排名和竞争力保持不变。”

韩美半导体解释说，新推出的“TC Bonder 4”是能够生产 HBM4 的专用设备，与竞争对手相比，其生产率和精度显著提高，符合 HBM4 特性的高精度要求。

全球公司正在为今年下半年大规模生产 HBM4 做准备。与现有的第 5 代 （HBM3E） 相比，第 6 代高带宽内存 HBM4 的速度提高了 60%，同时功耗降低到 70% 左右。

HBM4 支持多达 16 层，每个 DRAM 的容量从 24Gb 扩展到 32Gb。作为数据传输路径的硅过孔 （TSV） 接口数量已增加到 2,048 个，是上一代的两倍，显著提高了处理器和内存之间的数据传输速度。

因此，在需要高精度的 16 层或更多 HBM 堆叠工艺中，先进键合技术的重要性越来越大。

HANMI Semiconductor 成立于 1980 年，是一家全球性的半导体设备公司，在全球拥有约 320 家客户。自 2002 年知识产权部成立以来，公司一直专注于保护和加强知识产权，迄今为止共申请了 120 多项 HBM 设备专利。

目前，HANMI Semiconductor 在用于生产 12 层 HBM3E 的 TC Bonder 中占据了 90% 以上的市场份额。

当前，全球TCB市场主要由海外企业主导，核心厂商包括ASMPT、K&S、BESI、Shibaura和Hamni，前五大企业合计占据约88%的市场份额。同时，HBM设备市场也正从韩美半导体的单一主导格局向更加多元化的竞争态势演变。

财务数据显示，韩美半导体近日发布的业绩预告显示，公司预计2025年第一季度合并营收达1400亿韩元（约6.9亿元人民币），营业利润达686亿韩元。与2024年同期相比，营收增长81%，营业利润增幅高达139%。

据韩国媒体ET News和Money Today等报道，韩美半导体（Hanmi Semiconductor）已正式通知韩国本土客户，自4月1日起，用于HBM制造的TCB价格将上涨25%，这也是韩美半导体首次对TCB产品进行价格调涨。

目前，SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）等半导体企业均为韩美半导体TCB设备的主要用户。其中，作为HBM市场的领军企业，SK海力士自2017年以来便与韩美半导体建立了紧密的合作关系，其大部分HBM产品均采用韩美半导体的TCB设备进行生产。尤其是在最新的12层HBM3E产品制造过程中，超过90%的量产任务依赖韩美半导体的TCB设备。

在全球头部存储芯片巨头角逐HBM4的当下，韩美半导体的新款TCB设备的推出可谓是解了燃眉之急。

今年3月19日，SK海力士宣布，推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。

SK海力士强调：“以引领HBM市场的技术竞争力和生产经验为基础，能够比原计划提早实现12层HBM4的样品出货，并已开始与客户的验证流程。公司将在下半年完成量产准备，由此巩固在面向AI的新一代存储器市场领导地位。”

此次提供的12层HBM4样品，兼具了面向AI的存储器必备的世界最高水平速率。其容量也是12层堆叠产品的最高水平。

此产品首次实现了最高每秒可以处理2TB（太字节）以上数据的带宽。其相当于在1秒内可处理400部以上全高清（Full-HD，FHD）级电影（5GB=5千兆字节）的数据，运行速度与前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。

同时，公司通过在该产品上采用已在前一代产品获得竞争力认可的Advanced MR-MUF工艺，实现了现有12层HBM可达到的最大36GB容量。通过此工艺控制了芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。

SK海力士从2022年的HBM3开始，在2024年陆续实现了8层和12层HBM3E产品量产，通过恰时开发和供应HBM产品，维持了面向AI的存储器市场领导力。

SK海力士AI Infra担当金柱善社长（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“公司为了满足客户的要求，不断克服技术局限，成为了AI生态创新的领先者。以业界最大规模的HBM供应经验为基础，今后也将顺利进行性能验证和量产准备。”

日前，美光也公布了下一代 HBM4 和 HBM4E 工艺的最新进展，该公司预计将于 2026 年开始量产。

三星存储业务执行副总裁Kim Jae-joon在财报会议上表示，公司已与多家客户合作，开发基于HBM4 和增强型HBM4E 的定制版本。 HBM4 的开发细节如期进行，计划于今年下半年实现量产。 HBM4 预计将于2026 年开始商业供应。

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