目前讲纳米压印替代光刻，ASML的前景堪忧等等，还为时过早

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不太信。如果我没记错，纳米压印技术很早以前就有了。
后来因为芯片进程越来越小，技术跟不上才被淘汰，就剩了光刻这条路线。
技术进步是一步一个脚印的事，既然和以前是同一条技术路线，40nm、28nm对应的压印技术都没，直接飞升到5nm、2nm？

纳米压印技术是目前最接近可以和光刻技术竞争的大规模集成电路成形技术。佳能这台纳米压印设备型号是FPA-1200NZ2C，这台设备的原型机在2017年就进入东芝内存产线进行验证。佳能在10月13日官网宣布的消息，就是这台设备开始正式商业销售了，据彭博社报道，已经有不少订单了。商业销售就意味着正式的商业量产成熟了。

纳米压印技术很早就出来了，并在光学，微加工等领域有了很多应用，但在大规模集成电路成形上一直进展较慢。其主要的技术瓶颈其实用冲压原理去想就能明白，纳米压印很像一台冲压设备，用模具冲压出希望的产品形状来。所以其技术瓶颈

1. 模型需要能加工，而纳米压印的模型加工非常困难，需要用到光刻技术。

2. 模型的磨损，每冲一次都有一定的磨损，在要求几纳米的世界里，极其微小的磨损都可能使整个晶圆报废。

3. 气泡，压印时模型与晶圆之间接触时，会有气泡进入。

4. 压印时，模型将光胶向周边挤压后，对周边的影响。

5. 杂质，极微小的杂质在被压印入线路后，晶圆报废。

6. 脱模的缺现，脱模时，粘带，不均匀，速度过快等都会早成晶圆缺现。

7. 套印精度。

8. 效率，用于大规模集成电路的纳米压印属于光压印，由于压印后，需要紫外线照射光胶硬化，所以效率远低于光刻机。

2017年进入东芝内存产线的这台佳能纳米压印设备，在克服很多技术瓶颈后，主要面临上面第5和第8项问题，经过5年的验证和改进，对杂质的控制和效率提高，终于达到了商业应用的水平。

但目前，这台纳米压印在双工作台时的效率只有40片/小时，远比AMSL的光刻机效率低（参考ASML的NXE:3800E，是220片/小时），所以还无法进入大批量的主流芯片产线，只能用于多品种小批量的产品。

所以，目前讲纳米压印替代光刻，ASML的前景堪忧等等，还为时过早，没有任何根据。

但，纳米压印的优点也是非常大的，比如电力消费只有极紫外光刻机的十分之一，设备也远比一台上亿美元的极紫外光刻机便宜，而且相比极紫外光刻机，纳米压印对材料的选择范围要比光刻机广泛的多，未来用途也比光刻机要多。

光刻机特别是极紫外光刻机也是经历了一个又一个的技术问题，有的甚至是令人绝望的，但无数的技术人员的努力，终于有了今天。所以，将来纳米压印技术能发展到什么程度，现在还很难讲。