合肥长鑫存储实现内存芯片量产技术突破
cirqual
2019-10-24 09:54
10月23日 14:50
近期，总投资约1500亿元、位于合肥的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。在DRAM行业当前全球寡头垄断的格局下，长鑫存储的投产对推动中国在这一高端芯片产业上逐步实现独立自主，带动上下游产业链的国产化具有重要意义。（新华视点）
